Diodes laser à semiconducteurs à impulsions 1550 nm

En tant que chef de file de l’industrie des solutions photoniques avancées, Excelitas propose des lasers de nouvelle génération, notamment des diodes laser à semiconducteurs à impulsions de 1550 nm. Celles-ci sont proposées dans une grande variété de niveaux de puissance et de boîtiers pour des applications LiDAR et de télémétrie sans danger pour les yeux. Elles peuvent être combinées avec nos photodiodes à avalanche InGaAs pour créer une paire de composants d'une très grande efficacité. Ces diodes laser à impulsions ont prouvé leur fiabilité pour des applications très exigeantes dans les secteurs de la défense et de l'aérospatiale.

Tous nos produits laser sont conçus pour répondre aux exigences des conditions environnementales. Nos solutions laser de 1550 nm sont par exemple équipées de couches actives fabriquées à l'aide de techniques de croissance épitaxiale avancées par dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD). Celles-ci sont disponibles en deux configurations hermétiques pratiques : le boîtier « S », accompagné d’un boîtier à faible inductance de type TO-18, et le boîtier « R », accompagné d’un boîtier de 9 mm de contour CD offrant une dissipation thermique accrue et la possibilité d'intégrer une photodiode de contrôle sur la face arrière.

Forte de plusieurs décennies d’expérience dans la conception et la fabrication de solutions laser avancées, Excelitas est un fournisseur fiable d’équipements et de dispositifs de qualité militaire.

Les diodes laser de 1550 nm sont considérées comme des dispositifs laser sans risque pour la rétine. Elles intègrent et émettent de la lumière dans l’infrarouge à ondes courtes (SWIR) ou dans l’infrarouge proche (NIR) et sont regroupées autour d’une lumière centrale de 1550 nm de longueur d’onde. Elles sont habituellement utilisées dans des applications industrielles et militaires, bien que des applications grand public soient également possibles.

Les diodes laser de 1550 nm sont également utilisées dans un large éventail d’applications dans différents secteurs. Elles sont utilisées dans les télécommunications pour transmettre des signaux de données et tester les câbles à fibres optiques afin de détecter d’éventuelles pertes de puissance sur toute la longueur du câble. En optique spatiale en espace libre, ces diodes laser à semi-conducteurs permettent une connectivité en ligne de visée, car leur signal est difficile à intercepter. Dans les applications militaires, elles peuvent être utilisées dans les systèmes de télémétrie en raison de leur absence de danger pour la rétine, même à des niveaux de puissance plus élevés.

Excelitas Technologies est le chef de file incontesté de la technologie des lasers à semi-conducteurs. L’entreprise continue de fournir des innovations technologiques de pointe à l’industrie, notamment grâce à sa série PVG de diodes laser à impulsions à grande puissance.

Pour en savoir plus sur la série PVG, voir ci-dessous :

• PVGR1S06H - Diode laser à impulsions à une cavité de 1550 nm, de 6 mils et de 9 mm avec boîtier personnalisable - laser à semiconducteurs haute efficacité à boîtier métallique, qui comprend une puce à cavité simple monopile avec une largeur de bande de 150 µm. Elle est conçue pour fournir une performance de pointe de 7 W à 20 A, lorsque testée avec une impulsion large de 150 ns.

• PVGS1S06H - Diode laser à impulsions TO-52 à cavité simple de 1550 nm et de 6 mils - présente les mêmes spécifications que le modèle PVR1S06H. Elle est dotée d’une structure de puits quantique et peut produire une puissance pulsée de pointe allant jusqu’à 50 W.

• PVGS2S06H - Diode laser à impulsions TO-52 à une cavité et à pile double de 1550 nm, de 6 mils avec boîtier personnalisable - le modèle GS2S06H est aussi accompagné d’un boitier en métal. Ce boitier est accompagné d’une cavité à double pile avec une largeur de bande de 150 µm tout en offrant une performance de 24 W à 2 A avec une impulsion large de 150 ns.

• PVGR2S06H - Diode laser à impulsions à une cavité et à pile double de 1550 nm, de 6 mils et de 9 mm avec boîtier personnalisable - une diode laser à impulsions à haute efficacité qui est aussi accompagnée d'un boitier en métal et dotée d'une puce à une cavité et double pile, similaire à celle du modèle GS2S06H. Sa longueur d’onde a été centrée à 1550 nm afin de tirer parti de l’augmentation des niveaux d'émission maximaux par rapport aux lasers AIGaAs et InGaAs.

• PVGR4S12H - Diode laser à impulsions à une cavité et à pile quadruple de 1550 nm, de 12 mils et de 9 mm avec boîtier personnalisable - le dispositif le plus puissant de toute la série, comprenant une puce à une cavité et pile quadruple et une largeur de bande de 300 µm. Elle est capable d'émettre 58 W de lumière à 40 A, lorsqu’elle a été testée avec une impulsion large de 150 ns.

Excelitas propose une technologie laser à semiconducteurs avancée utilisée dans un large éventail d’applications. Voici quelques-uns de ces produits :

• Télémètre laser (LRF) sans danger pour les yeux
• Balises optiques
• Éclairage dissimulé
• Détection
• Métrologie industrielle
• Rideaux de sécurité laser

Excelitas développe depuis des décennies des diodes laser à impulsions pour des clients du monde entier. Nos diodes laser à impulsions sont fabriquées pour répondre aux spécifications de nos clients et garantir des performances optimales, tout en garantissant la qualité et la fiabilité les plus élevées que les clients attendent d’Excelitas. Si vous avez des exigences spécifiques pour votre application, communiquez avec nous dès aujourd’hui pour discuter de votre projet et laissez-nous vous aider à optimiser votre innovation.