PVGR4S12H : Diode laser à impulsions à une cavité et à pile quadruple de 1550 nm, de 12 mils et de 9 mm avec boîtier personnalisable.
Le modèle PVGR4S12H est une diode laser à impulsions de 1550 nm très efficace, logée dans un boîtier en métal, composée d'une puce à cavité simple et à pile quadruple avec une largeur de bande de 300 µm. Elle fournit 58 W à 40 A avec une impulsion de 150 ns, en plus de se décliner en différents formats.
Nos diodes laser à hétérostructure double conçues par dépôt chimique en phase vapeur par composés organométalliques (MOCVD) à 1550 nm avec des puissances de sortie de pointe de 7, de 14 et de 58 W sont des produits standards. La longueur d'onde de ces dispositifs est centrée à 1550 nm pour tirer profit d'une augmentation du maximum des niveaux d'émissions des lasers à GaAlAs et à InGaAsP permis pour une utilisation sécuritaire pour les yeux, conformément aux exigences de la FDA. Ainsi, une utilisation de classe 1 devrait être possible avec des puissances de sortie relativement élevées.
• 1550 nm center wavelength
• Available stacked devices to increase output power
• Quantum well structure
• High peak pulsed power - up to 50 W
• 1550 nm center wavelength
• Available stacked devices to increase output power
• Quantum well structure
• High peak pulsed power - up to 50 W