PIÈCE/ C30617L-100
C30617L-100 – InGaAs PIN, 100 um, CMS en céramique
Le C30617L-100 est une photodiode InGaAs PIN à grande vitesse avec une puce de 100 µm de diamètre actif dans un boîtier CMS céramique avec fenêtre. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 960 à 1700 nm. Elle a une faible capacitance pour une largeur de bande étendue, une haute résistance pour une sensibilité élevée ainsi qu'une linéarité et une uniformité élevées dans les deux pour cent d'un bout à l'autre de la surface active du détecteur.
Utilisations :
- Applications à consommation élevée
- Télécommunications
- Instrumentation
- Commutateurs à haute vitesse
- Période de référence optique pour télémètres laser
- LiDAR
Caractéristiques et avantages :
- Bande passante élevée, jusqu'à 3,5 GHz
- Responsivité élevée à 1300 nm et 1550 nm
- Diamètre de la région active de 100 μm
- Faible capacitance
- Boîtier SMT en céramique compact et robuste
- Personnalisation possible (p. ex., filtres)
- Conforme à la directive RoHS
- Tension de claquage : 60 V
- Tension de fonctionnement : 5 V
- Capacitance : Typ. 0.6 pF
- Bruit d’obscurité : Typ. <1.0 nA
- Courant de bruit : Typ. <0.03 pA/√Hz
- Boîtier SMD en céramique avec fenêtre
- Haute sensibilité de photodétection à 1300 et 1550 nm
- Responsivité : Typ. 1,05 A/W à 1550 nm
- Temps de montée/descente : Typ. 0.07 ns
- Tension de claquage : 60 V
- Tension de fonctionnement : 5 V
- Capacitance : Typ. 0.6 pF
- Bruit d’obscurité : Typ. <1.0 nA
- Courant de bruit : Typ. <0.03 pA/√Hz
- Boîtier SMD en céramique avec fenêtre
- Haute sensibilité de photodétection à 1300 et 1550 nm
- Responsivité : Typ. 1,05 A/W à 1550 nm
- Temps de montée/descente : Typ. 0.07 ns