Photodiodes InGaAs PIN

La C30617BFCH est une photodiode InGaAs PIN à haute vitesse avec une puce de 100 µm de diamètre actif dans un boîtier à lentille sphérique TO-18 et un réceptacle FC. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle a une faible capacitance pour une largeur de bande étendue, une haute résistance pour une sensibilité élevée ainsi qu'une linéarité et une uniformité élevées dans les deux pour cent d'un bout à l'autre de la surface active du détecteur.

La C30617BH est une photodiode InGaAs PIN à haute vitesse avec une puce de 100 µm de diamètre actif dans un boîtier à lentille sphérique TO-18. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle a une faible capacitance pour une largeur de bande étendue, une haute résistance pour une sensibilité élevée ainsi qu'une linéarité et une uniformité élevées dans les deux pour cent d'un bout à l'autre de la surface active du détecteur.

La C30617ECERH est une photodiode InGaAs PIN à haute vitesse avec une surface active de 100 µm de diamètre sur un support céramique rectangulaire. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle a une faible capacitance pour une largeur de bande étendue, une haute résistance pour une sensibilité élevée ainsi qu'une linéarité et une uniformité élevées dans les deux pour cent d'un bout à l'autre de la surface active du détecteur.

Le C30617L-100 est une photodiode InGaAs PIN à grande vitesse avec une puce de 100 µm de diamètre actif dans un boîtier CMS céramique avec fenêtre. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 960 à 1700 nm. Elle a une faible capacitance pour une largeur de bande étendue, une haute résistance pour une sensibilité élevée ainsi qu'une linéarité et une uniformité élevées dans les deux pour cent d'un bout à l'autre de la surface active du détecteur.

La C30618BFCH est une photodiode InGaAs PIN à haute vitesse avec une puce de 350 µm de diamètre actif dans un boîtier à lentille sphérique TO-18 et un réceptacle FC. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle a une faible capacitance pour une largeur de bande étendue, une haute résistance pour une sensibilité élevée ainsi qu'une linéarité et une uniformité élevées dans les 2 % d'un bout à l'autre de la surface active du détecteur.

La C30618ECERH est une photodiode InGaAs PIN à haute vitesse avec une surface active de 350 µm de diamètre sur un support céramique rectangulaire. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle a une faible capacitance pour une largeur de bande étendue, une haute résistance pour une sensibilité élevée ainsi qu'une linéarité et une uniformité élevées dans les deux pour cent d'un bout à l'autre de la surface active du détecteur.

La C30618GH est une photodiode InGaAS PIN à haute vitesse avec une puce de 350 µm de diamètre actif dans un boîtier TO-18 avec une fenêtre en verre plat. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle a une faible capacitance pour une largeur de bande étendue, une haute résistance pour une sensibilité élevée ainsi qu'une linéarité et une uniformité élevées dans les deux pour cent d'un bout à l'autre de la surface active du détecteur.

Le C30618L-350 est une photodiode InGaAs PIN à grande vitesse avec une puce de 350 µm de diamètre actif dans un boîtier CMS céramique avec fenêtre. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 960 à 1700 nm. Elle a une faible capacitance pour une largeur de bande étendue, une haute résistance pour une sensibilité élevée ainsi qu'une linéarité et une uniformité élevées dans les deux pour cent d'un bout à l'autre de la surface active du détecteur.

La C30619GH est une photodiode InGaAS PIN de grande surface avec une puce ayant une région active de 0,5 mm de diamètre dans un boîtier TO-18 avec une fenêtre en verre plat. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle a une grande sensibilité de photodétection, une haute résistance de dérivation, un faible courant d'obscurité, une faible capacitance pour un temps de réponse rapide et une uniformité dans les deux pour cent d'un bout à l'autre de la région active du détecteur.

La C30619GH-LC est une photodiode InGaAS PIN de grande surface avec une puce ayant une région active de 0,5 mm de diamètre dans un boîtier TO-18 avec une fenêtre en verre plat. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle se caractérise par une très faible capacité, égale à la moitié de la capacité standard, ce qui lui confère une bande passante à 3 dB deux fois supérieure, une grande responsivité, une haute résistance de dérivation et un faible courant d'obscurité. Les dispositifs classiques présentent une non-linéarité inférieure à 1 % et une uniformité de 2 % sur la région active du détecteur.​​​​​​​

La C30641GH est une photodiode InGaAS PIN de grande surface avec une puce ayant une région active de 1,0 mm de diamètre dans un boîtier TO-18 avec une fenêtre en verre plat. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle a une grande sensibilité de photodétection, une haute résistance de dérivation, un faible courant d'obscurité, une faible capacitance pour un temps de réponse rapide et une uniformité dans les deux pour cent d'un bout à l'autre de la région active du détecteur.

La C30641GH-LC est une photodiode InGaAS PIN de grande surface avec une puce ayant une région active de 1,0 mm de diamètre dans un boîtier TO-18 avec une fenêtre en verre plat. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle se caractérise par une très faible capacité, égale à la moitié de la capacité standard, ce qui lui confère une bande passante à 3 dB deux fois supérieure, une grande responsivité, une haute résistance de dérivation et un faible courant d'obscurité. Les dispositifs classiques présentent une non-linéarité inférieure à 1 % et une uniformité de 2 % sur la région active du détecteur.​​​​​​​

La C30642GH est une photodiode InGaAS PIN de grande surface avec une puce ayant une région active de 2,0 mm de diamètre dans un boîtier TO-5 avec une fenêtre en verre plat. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle a une grande sensibilité de photodétection, une haute résistance de dérivation, un faible courant d'obscurité, une faible capacitance pour un temps de réponse rapide et une uniformité dans les deux pour cent d'un bout à l'autre de la région active du détecteur.

La C30642GH-LC est une photodiode InGaAS PIN de grande surface avec une puce ayant une région active de 2,0 mm de diamètre dans un boîtier TO-5 avec une fenêtre en verre plat. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle se caractérise par une très faible capacité, égale à la moitié de la capacité standard, ce qui lui confère une bande passante à 3 dB deux fois supérieure, une grande responsivité, une haute résistance de dérivation et un faible courant d'obscurité. Les dispositifs classiques présentent une non-linéarité inférieure à 1 % et une uniformité de 2 % sur la région active du détecteur.​​​​​​​

La C30665GH est une photodiode InGaAS PIN de grande surface avec une puce ayant une région active de 3,0 mm de diamètre dans un boîtier TO-5 avec une fenêtre en verre plat. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle a une grande sensibilité de photodetection, une haute résistance de dérivation, un faible courant d'obscurité, une faible capacitance pour un temps de réponse rapide et une uniformité dans les 2 % dans la région active du détecteur.

La C30665GH-LC est une photodiode InGaAS PIN de grande surface avec une puce ayant une région active de 3,0 mm de diamètre dans un boîtier TO-5 avec une fenêtre en verre plat. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle se caractérise par une très faible capacité, égale à la moitié de la capacité standard, ce qui lui confère une bande passante à 3 dB deux fois supérieure, une grande responsivité, une haute résistance de dérivation et un faible courant d'obscurité. Les dispositifs classiques présentent une non-linéarité inférieure à 1 % et une uniformité de 2 % sur la région active du détecteur.​​​​​​​

La C30723GH est une photodiode InGaAS PIN de grande surface avec une puce ayant une région active de 5,0 mm de diamètre dans un boîtier TO-8 avec une fenêtre en verre plat. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle a une grande sensibilité de photodétection, une haute résistance de dérivation, un faible courant d'obscurité, une faible capacitance pour un temps de réponse rapide et une uniformité dans les deux pour cent d'un bout à l'autre de la région active du détecteur.