C30618ECERH – InGaAs PIN, 350 um, support en céramique
La C30618ECERH est une photodiode InGaAs PIN à haute vitesse avec une surface active de 350 µm de diamètre sur un support céramique rectangulaire. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle a une faible capacitance pour une largeur de bande étendue, une haute résistance pour une sensibilité élevée ainsi qu'une linéarité et une uniformité élevées dans les deux pour cent d'un bout à l'autre de la surface active du détecteur.
Caractéristiques et avantages :
- Photodiode InGaAS PIN à haute vitesse
- Boîtier standard : Rectangulaire, céramique
- Diamètre actif de 350 µm
- Haute sensibilité de photodétection à 1300 et 1550 nm
- Faible capacitance pour les largeurs de bande étendues (jusqu'à 750 MHz)
Utilisations :
- Télécommunications
- Instrumentation
- Transmission de données
- Commutation à grande vitesse
- Liaisons de données et communications par fibre optique
Breakdown Voltage: 80 V
Operating voltage: 5V
Capacitance: 3.7 pF
Dark Current: 1 nA
Noise Current: 0.02 pA/√Hz
Package: Ceramic carrier
High responsivity at 1300 and 1550 nm
Responsivity: 0.90 A/W
Rise/Fall Time: < 1ps
Breakdown Voltage: 80 V
Operating voltage: 5V
Capacitance: 3.7 pF
Dark Current: 1 nA
Noise Current: 0.02 pA/√Hz
Package: Ceramic carrier
High responsivity at 1300 and 1550 nm
Responsivity: 0.90 A/W
Rise/Fall Time: < 1ps