C30645EH - InGaAs APD, 80 um, TO-18 Profil bas
La photodiode à avalanche InGaAs de grande surface C30645EH a un diamètre actif de 80 µm dans un support en céramique avec une fenêtre en silicium à petite ouverture.
La C30645EH d'Excelitas est optimisée pour une longueur d'onde de 1550 nm et peut être utilisée dans des systèmes de télémétrie laser sans danger pour les yeux.
Caractéristiques et avantages :
- InGaAs APD de grande surface, 80 µm de diamètre
- Boîtier T-18 hermétique avec fenêtre en silicium à petite ouverture
- Réponse spectrale : De 1100 à 1700 μm
- Bruit et courant d'obscurité faibles
- Gain et rendement quantique élevés
- Largeur de bande de plus de 1000 MHz
- Possibilité de modifications personnalisées pour répondre à des besoins particuliers
Utilisations :
- Télémétrie laser, balayage et imagerie vidéo
- Communication optique et dans l'espace libre
- Balayage et imagerie vidéo
- Spectrophotomètres optiques et de communication dans l'espace libre et réflectométrie
Active Diameter: 80 µm
Breakdown Voltage: 40-70 V
Temperature Coefficient: 0.14 V/°C
Responsivity: 9.3 A/W @ 1550 nm
Dark Current: 3 nA
Spectral Noise Current: 0.2 pA/√Hz
Capacitance: 1.25 pF
Bandwidth: 1000 MHz
Quantum Efficiency: 75% @1300-1550 nm
Gain: 20
Package: TO-18
Window aperture: Small 0.8 mm
Window Type: Silicon blocks visible light <1100 nm
Active Diameter: 80 µm
Breakdown Voltage: 40-70 V
Temperature Coefficient: 0.14 V/°C
Responsivity: 9.3 A/W @ 1550 nm
Dark Current: 3 nA
Spectral Noise Current: 0.2 pA/√Hz
Capacitance: 1.25 pF
Bandwidth: 1000 MHz
Quantum Efficiency: 75% @1300-1550 nm
Gain: 20
Package: TO-18
Window aperture: Small 0.8 mm
Window Type: Silicon blocks visible light <1100 nm