Les InGaAs à haute performance (APD)

Les photodiodes à avalanche InGaAs à haute performance (APD) des séries C30644, C30645 et C30662 sont des photodiodes InGaAs/lnP à grande vitesse et à grande surface. Ces dispositifs offrent un rendement quantique élevé, une grande réceptivité et peu de bruit dans la plage spectrale comprise entre 1100 nm et 1700 nm. Ils sont optimisés pour une utilisation à une longueur d'onde de 1550 nm, qui convient parfaitement aux systèmes de télémétrie laser à sécurité oculaire.

Ressources supplémentaires
Pourquoi devrais-je choisir Excelitas comme fournisseur de photodiodes à avalanche (APD) InGaAs à haute performance?
Excelitas est largement reconnue pour ses solutions photoniques de pointe qui permettent de détecter avec précision les particules de lumière et de garantir la fiabilité de chaque dispositif dans l'application à laquelle il est destiné.​​​​​​​ Vous pouvez faire confiance à Excelitas, une entreprise forte de plus de 30 années d'expérience dans le secteur, pour vous fournir des solutions qui répondront à vos exigences et à vos besoins.​​​​​​​ Notre portefeuille complet de solutions photoniques comprend des APD à haute performance fabriquées à partir d'InGaAs (arséniure d'indium et de gallium) qui se caractérisent par un excellent rendement quantique, des performances à grande vitesse et une intégration simplifiée dans les systèmes existants. Nous sommes réputés pour la fiabilité de nos solutions, ce qui signifie que vous aurez accès à des technologies de qualité supérieure pour les applications que vous visez.​​​​​​​
À quoi servent les photodiodes à avalanche InGaAs à haute performance?
Les photodiodes à avalanche (APD) sont des semi-conducteurs utilisés principalement pour détecter et convertir des signaux lumineux en signaux électriques. Ces APD peuvent être fabriquées à partir d'indium, de gallium et d'arsenic, ce qui leur confère l'avantage de pouvoir détecter la lumière dans le proche infrarouge (NIR) et l'infrarouge de courte longueur d'onde (SWIR) avec une efficacité et une sensibilité élevées.​​​​​​​ Elles sont également compatibles avec les technologies existantes et peuvent être intégrées dans diverses architectures de dispositifs pour faciliter leur adoption dans diverses applications, telles que la détection optique, la détection et la télémétrie par ondes lumineuses (LIDAR), ainsi que le comptage et la détection de photons.​​​​​​​
Quels types d'APD InGaAs à haute performance proposez-vous?
Excelitas propose une large gamme d'APD InGaAs à haute performance conçues pour exceller dans diverses applications qui nécessitent une détection de photons très sensible dans les gammes NIR et SWIR avec des temps de réponse rapides.​​​​​​​ Les produits suivants constituent notre gamme complète d'APD InGaAs :​​​​​​​
  • C30645ECERH – InGaAS APD, 80 µm, céramique – présente un diamètre actif de 80 µm dans un sous-support en céramique.
  • C30645EH – InGaAs APD, 80 µm, TO-18 à profil bas – capable de fournir un diamètre actif de 80 µm et présentée dans un boîtier TO-18 hermétique avec une fenêtre en silicium à petite ouverture.
  • C30645L-080 – InGaAs APD, 80 µm, boîtier SMD – APD haute vitesse qui offre une réactivité et une efficacité quantique élevées avec un faible bruit dans la gamme spectrale entre 1000 nm et 1700 nm. Cette APD présente un diamètre actif de 80 µm dans un boîtier SMD compact.
  • C30662ECERH – InGaAs APD, 200 µm, céramique – cette APD InGaAs à grande surface offre un diamètre actif de 200 µm dans un sous-support en céramique.​​​​​​​
  • C30662ECERH-1 – InGaAs APD, 200 µm, céramique – fournit également un diamètre actif de 200 µm. Elle est contenue dans un sous-support en céramique avec une tension delta Vcl-Vpo supérieure à 4 V.
  • C30662EH – InGaAs APD, 200 µm, TO-18 – présentée dans un boîtier hermétique TO-18 avec une fenêtre en verre à grande ouverture. Elle offre un diamètre actif de 200 µm.
  • C30662EH-1 – InGaAs APD, 200 µm, TO-18 – présente des caractéristiques similaires à celles de la C30662EH, mais est également dotée d'une tension delta Vcl-Vpo > 4 V.
  • C30662EH-3 – InGaAs APD, 200 µm, TO-18, petite ouverture – similaire à la C30662EH, mais avec une fenêtre en verre à petite ouverture.
  • C30662L-200 – InGaAs APD, 200 µm, boîtier SMD – cette APD à haute performance présente des vitesses élevées, une grande surface, un rendement quantique important et une grande réactivité, tout en maintenant le bruit à un niveau minimal dans la gamme spectrale allant de 1000 à 1700 nm. Elle offre un diamètre actif de 200 µm dans un boîtier SMD compact.
  • C30733BQC-01 InGaAs APD, fibre amorce de 30 µm avec connecteur FC/APC – ce détecteur à gain élevé et à grande vitesse présente une combinaison unique de gain élevé, de temps de récupération rapide et de faible bruit, ce qui le rend idéal pour les équipements d'essai haut de gamme et établit une nouvelle norme dans les applications à grande vitesse qui nécessitent des rapports signal-bruit entre 1000 et 1700 nm.
  • C30733EH-1 – InGaAs APD, 30 µm, TO-18 à profil bas – optimisée pour la gamme de longueurs d'onde de 1310 à 1650 nm, cette APD de petite surface offre un diamètre actif de 30 µm dans un boîtier TO-18 hermétique. Elle convient aux équipements d'essai haut de gamme qui nécessitent des temps de réponse et de récupération extrêmement rapides.
Quelles sont les applications des photodiodes à avalanche InGaAs à haute performance?
Les APD InGaAs à haute performance d'Excelitas sont conçues pour fournir une détection de photons très sensible, une caractéristique très recherchée dans les applications suivantes :​​​​​​​
  • LiDAR/Mesures de temps de vol
    • Télémétrie laser sans danger pour les yeux
    • Applications à consommation élevée
    • Électromètre optique à dimension temporelle
    • Systèmes de communication optique
    • Balayage laser
  • Microscopie confocale
  • Communication dans l'espace libre
  • Spectrophotométrie
  • Détection fluorimétrique
  • Séquenceur d'ADN
  • La détermination de la taille des particules
Proposez-vous des photodiodes à avalanche InGaAs à haute performance personnalisées?
Excelitas est fière d'offrir une large gamme d'APD InGaAs à haute performance et prêtes à l'emploi, afin de fournir des dispositifs fiables pour la détection et la mesure de la lumière dans les gammes du proche infrarouge (NIR) et de l'infrarouge de courte longueur d'onde (SWIR). Nous développons des produits de haute qualité qui répondent aux besoins de nos clients OEM, leur permettant à leur tour de fabriquer des solutions qui répondent aux exigences des utilisateurs finaux. Parcourez notre gamme complète de produits pour trouver les solutions qui répondent à vos besoins opérationnels.​​​​​​​ Si vous avez des exigences particulières auxquelles nos produits ne répondent pas, n'hésitez pas à nous en faire part afin que nous puissions travailler ensemble à la mise au point de solutions qui répondent à vos besoins précis sans faire de compromis sur la qualité, le coût et le délai de mise sur le marché.​​​​​​​
Photodiodes à avalanche InGaAs à haute performance

Liste de produits

Numéro de pièce
C30645ECERH

C30645ECERH - InGaAS APD, 80 um, Céramique

La photodiode à avalanche (APD) InGaAs C30645ECERH de grande surface procure un diamètre actif de 80 µm dans un sous-support en céramique.
Numéro de pièce
C30645EH

C30645EH - InGaAs APD, 80 um, TO-18 Profil bas

La photodiode à avalanche InGaAs de grande surface C30645EH a un diamètre actif de 80 µm dans un support en céramique avec une fenêtre en silicium à petite ouverture.
Numéro de pièce
C30645L-080

C30645L-080 - InGaAs APD, 80um, boîtier SMD

Les photodiodes à avalanche C30645L-080 d'Excelitas sont des APD InGaAs de grande surface à haute vitesse offrant un rendement quantique et une responsivité élevés à faible bruit dans l'étendue spectrale se situant entre 1000 et 1700 nm. Ces photodiodes ont une région active de 80 µm dans un boîtier SMD compact.
Numéro de pièce
C30662ECERH

C30662ECERH - InGaAs APD, 200 um, Céramique

La photodiode à avalanche (APD) InGaAs C30662ECERH de grande surface a un diamètre actif de 200 µm dans un sous-support en céramique.
Numéro de pièce
C30662ECERH-1

C30662ECERH-1 - InGaAs APD, 200 um, Céramique

La photodiode à avalanche (APD) C30662ECERH-1 InGaAs de grande surface a un diamètre actif de 200 µm dans un sous-support en céramique avec une tension delta Vcl-Vpo supérieure à 4 V.
Numéro de pièce
C30662EH

C30662EH - InGaAs APD, 200 um, TO-18

La photodiode à avalanche (APD) InGaAs de grande surface C30662EH a un diamètre actif de 200 µm dans un boîtier TO-18 hermétique avec une fenêtre en verre à grande ouverture.
Numéro de pièce
C30662EH-1

C30662EH-1 - InGaAs APD, 200 um, TO-18

La photodiode à avalanche (APD) InGaAs de grande surface C30662ECERH-1 a un diamètre actif de 200 µm dans un support boîtier TO-18 hermétique avec une fenêtre en verre à grande ouverture et une tension delta Vcl-Vpo supérieure à 4 V.
Numéro de pièce
C30662EH-3

C30662EH-3 – InGaAs APD, 200 um, TO-18, petite ouverture

La photodiode à avalanche (APD) InGaAs de grande surface C30662EH-3 a un diamètre actif de 200 µm dans un boîtier TO-18 hermétique avec une fenêtre en verre à petite ouverture.
Numéro de pièce
C30662L-200

C30662L-200 - InGaAs APD, 200um, boîtier SMD

Les photodiodes à avalanche C30662L-200 d'Excelitas sont des APD InGaAs de grande surface à haute vitesse offrant un rendement quantique et une responsivité élevés à faible bruit dans l'étendue spectrale se situant entre 1000 et 1700 nm. Les photodiodes C30662L-200 procure une région active de 200 µm dans un boîtier SMD compact.
Numéro de pièce
C30733BQC-01

C30733BQC-01 InGaAs APD, fibre amorce de 30 µm avec connecteur FC/APC

La photodiode à avalanche (APD) C30733BQC-01 d'Excelitas est un détecteur photonique InGaAs à grande vitesse, à gain élevé et à faible bruit. Cette APD InGaAs présente une combinaison unique de gain élevé et de temps de récupération rapide, associée à un faible niveau de bruit, ce qui la rend idéale pour les équipements d'essai haut de gamme. Avec un gain de fonctionnement typique de 40, la C30733BQC-01 établit une nouvelle norme dans les applications à haute vitesse qui exigent le meilleur rapport signal-bruit entre 1000 nm et 1700 nm de leur catégorie.​​​​​​​
Numéro de pièce
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C30733EH-1 – InGaAs APD, 30 um, boîtier TO-18 à profil bas

La photodiode à avalanche InGaAs C30733EH-1 de petite surface d'Excelitas présente un diamètre actif de 30 µm dans un boîtier hermétique TO-18. Optimisée pour la gamme de longueurs d'onde de 1310 à 1650 nm, la C30733EH-1 convient aux équipements de test haut de gamme qui nécessitent un temps de réponse et de récupération extrêmement rapide, comme les réflectomètres optiques dans le domaine temporel utilisés pour les télécommunications.