C30733EH-1 – InGaAs APD, 30 um, boîtier TO-18 à profil bas
La photodiode à avalanche InGaAs C30733EH-1 de petite surface d'Excelitas présente un diamètre actif de 30 µm dans un boîtier hermétique TO-18. Optimisée pour la gamme de longueurs d'onde de 1310 à 1650 nm, la C30733EH-1 convient aux équipements de test haut de gamme qui nécessitent un temps de réponse et de récupération extrêmement rapide, comme les réflectomètres optiques dans le domaine temporel utilisés pour les télécommunications.
Caractéristiques et avantages :
- Réponse spectrale de 1000 à 1700 nm
- Gain typique de fonctionnement de 40
- Petite surface active de 30 μm
- Sensibilité de photodétection élevée
- Faible courant d'obscurité et bruit
- TO-can métallique robuste et hermétique
- Largeur de bande de plus de 2 GHz
- Offerte avec une fibre amorce et un connecteur de terminaison FC/APC, numéro de pièce C30733BQC-01
Utilisations :
- Équipement de test pour les télécommunications (par exemple, un réflectomètre optique dans le domaine temporel)
- Télémétrie laser
- Communication optique et dans l'espace libre
- Balayage et imagerie vidéo
- Spectrophotomètres optiques et de communication dans l'espace libre et réflectométrie
Active Diameter: 30 µm
Breakdown Voltage: 45 V - 70 V
Temperature Coefficient: 0.14 V/°C
Responsivity: 37.6 A/W (M=40)
Dark Current: < 10 nA (M=40)
Dark Noise: < 0.5 pA/√Hz (M=40)
Capacitance: 0.5 pF
Gain: 40
Quantum Efficiency: 75 % (1300 nm - 1550 nm)
Package: TO-18
Active Diameter: 30 µm
Breakdown Voltage: 45 V - 70 V
Temperature Coefficient: 0.14 V/°C
Responsivity: 37.6 A/W (M=40)
Dark Current: < 10 nA (M=40)
Dark Noise: < 0.5 pA/√Hz (M=40)
Capacitance: 0.5 pF
Gain: 40
Quantum Efficiency: 75 % (1300 nm - 1550 nm)
Package: TO-18