C30645L-080 - InGaAs APD, 80um, boîtier SMD
Les photodiodes à avalanche C30645L-080 d'Excelitas sont des APD InGaAs de grande surface à haute vitesse offrant un rendement quantique et une responsivité élevés à faible bruit dans l'étendue spectrale se situant entre 1000 et 1700 nm. Ces photodiodes ont une région active de 80 µm dans un boîtier SMD compact.
La C30645L-080 d'Excelitas est optimisée pour une utilisation à une longueur d'onde de 1550 nm, ce qui convient aux systèmes de télémétrie laser sans danger pour les yeux.
Caractéristiques et avantages :
- InGaAs APD de grande surface, 80 µm de diamètre
- Boîtier SMD en céramique compact
- Réponse spectrale de 1000 à 1700 nm
- Bruit et courant d'obscurité faibles
- Gain et rendement quantique élevés
- Largeur de bande de plus de 1000 MHz
- Possibilité de modifications personnalisées pour répondre à des besoins particuliers
Utilisations :
- LiDAR/Mesures de temps de vol
- Télémétrie laser sécuritaire pour les yeux
- LiDAR
- Électromètre optique à dimension temporelle
- Systèmes de communication optique
- Balayage laser
Active Diameter: 80 µm
Breakdown Voltage: 45-70 V
Temperature Coefficient: 0.14 V/°C
Responsivity: 9.4 A/W @ 1550 nm
Dark Current: 5 nA
Spectral Noise Current: 0.35 pA/√Hz
Capacitance: 1.45 pF
Bandwidth: >1000 MHz
Quantum Efficiency: 75% @1300-1550 nm
Gain: 20
Package: SMD
Active Diameter: 80 µm
Breakdown Voltage: 45-70 V
Temperature Coefficient: 0.14 V/°C
Responsivity: 9.4 A/W @ 1550 nm
Dark Current: 5 nA
Spectral Noise Current: 0.35 pA/√Hz
Capacitance: 1.45 pF
Bandwidth: >1000 MHz
Quantum Efficiency: 75% @1300-1550 nm
Gain: 20
Package: SMD