C30662ECERH - InGaAs APD, 200 um, Céramique
La photodiode à avalanche (APD) InGaAs C30662ECERH de grande surface a un diamètre actif de 200 µm dans un sous-support en céramique.
Le modèle C30662ECERH est optimisé pour une utilisation à la longueur d'onde de 1550 nm et il peut être utilisé dans des systèmes de télémétrie laser sans danger pour les yeux.
Caractéristiques et avantages :
- InGaAs APD de grande surface, 200 µm de diamètre
- Sous-support en céramique
- Réponse spectrale : De 1000 à 1700 μm
- Bruit et courant d'obscurité faibles
- Gain et rendement quantique élevés
- Largeur de bande de plus de 850 MHz
- Possibilité de modifications personnalisées pour répondre à des besoins particuliers
Utilisations :
- Télémétrie laser, balayage et imagerie vidéo
- Communication optique et dans l'espace libre
- Balayage et imagerie vidéo
- Spectrophotomètres optiques et de communication dans l'espace libre et réflectométrie
Active Diameter: 200 µm
Breakdown Voltage: 40-70 V
Temperature Coefficient: 0.14 V/°C
Responsivity: 9.3 A/W @ 1550 nm
Dark Current: 45 nA
Spectral Noise Current: 0.7 pA/√Hz
Capacitance: 2.5 pF
Bandwidth: 850 MHz
Quantum Efficiency: 75% @1300-1550 nm
Gain: 20
Package: 2x4mm ceramic submount carrier
Active Diameter: 200 µm
Breakdown Voltage: 40-70 V
Temperature Coefficient: 0.14 V/°C
Responsivity: 9.3 A/W @ 1550 nm
Dark Current: 45 nA
Spectral Noise Current: 0.7 pA/√Hz
Capacitance: 2.5 pF
Bandwidth: 850 MHz
Quantum Efficiency: 75% @1300-1550 nm
Gain: 20
Package: 2x4mm ceramic submount carrier