PIÈCE/ C30659-1550E-R2AH
C30659-1550E-R2AH – Récepteur InGaAs APD, 200 um, TO-8, 50 MHz, seuil de résistance élevé aux dommages
La série C30659 comprend une photodiode à avalanche au silicium (Si) ou InGaAs (APD) avec un préamplificateur hybride dans le même boîtier TO-8 hermétiquement scellé pour un fonctionnement à très faible bruit. Notre dispositif C30659-1550-R2AH comprend une InGaAs APD Excelitas C30662EH optimisée à 1550 nm.
La série C30659 comporte un inverseur avec un émetteur-suiveur utilisé comme étape tampon de sortie.
Les Si APD utilisées dans ces appareils sont les mêmes que celles utilisées dans les produits Excelitas C30817EH, C30902EH, C30954EH et C30956EH, tandis que les InGaAs APD sont utilisées dans les produits C30645EH et C30662EH. Ces détecteurs offrent une très bonne réponse entre 830 et 1550 nm et des temps de montée et de descente très rapides à toutes les longueurs d'onde. La section préamplificatrice du module comporte une partie frontale GaAs FET très silencieuse conçue pour fonctionner à une transimpédance plus élevée que la série standard C30950 d'Excelitas.
- Largeur de bande du système : 50 MHz
- Puissance équivalente au bruit (NEP) très faible
- 150 fW/√Hz à 1300 nm
- 130 fW/√Hz à 1550 nm
- Intervalle de réponse spectrale : Pointe à 1550 nm
- Consommation d'énergie type : 150 mW
- ±Tensions de fonctionnement de l'amplificateur : 5 V
- Capacité de charge en courant alternatif (couplé) : 50 Ω
- Boîtier TO-8 hermétiquement scellé
- Haute fiabilité
- Largeur de bande du système : 50 MHz
- Puissance équivalente au bruit (NEP) très faible
- 150 fW/√Hz à 1300 nm
- 130 fW/√Hz à 1550 nm
- Intervalle de réponse spectrale : Pointe à 1550 nm
- Consommation d'énergie type : 150 mW
- ±Tensions de fonctionnement de l'amplificateur : 5 V
- Capacité de charge en courant alternatif (couplé) : 50 Ω
- Boîtier TO-8 hermétiquement scellé
- Haute fiabilité