PIÈCE/ C30739ECERH
C30739ECERH – Si APD, support en céramique
La photodiode C30739ECERH à avalanche au silicium (Si APD) améliorée et à courte longueur d'onde couvre la plage spectrale allant de moins de 400 nm à plus de 700 nm. Elle offre un faible bruit, un gain élevé et une réponse UV améliorée avec un rendement quantique supérieur à 70 % à 430 nm et elle est conçue pour des applications à faible luminosité, comme l'imagerie moléculaire. Son boîtier de support en céramique permet de faciliter la manipulation et le couplage aux cristaux à scintillation tels que le LSO et le BGO.
Caractéristiques et avantages :
- Si APD avec réponse UV améliorée
- Rendement quantique supérieur à 70 % à 430 nm
- Boîtier plat en céramique – couplage facile aux scintillateurs
- Boîtier non magnétique
Utilisations :
- Imagerie moléculaire
- Médecine nucléaire
- Détection de fluorescence
- Physique des hautes énergies
- Détection de rayonnement de sécurité
- la surveillance de l'environnement
- Surface active : 5,6 x 5,6 mm
- Tension de claquage : 400, <450 V
- Capacitance : 60 pF
- Courant d'obscurité : 1,5 nA
- Gain : > 100
- Courant de bruit :
- Temps de réponse : 2 ns
- Sensibilité de photodétection : 26 A/W pour C30739ECERH, 52 A/W pour C30739ECERH-2 à 430 nm et gain type
- Temps de montée/descente : 2 ns
- Courant de bruit spectral : 0,3 pA/√Hz pour C30739ECERH, 0,4 pA/√Hz pour C30739ECERH-2
- Longueur d'onde : 400 à 700 nm
- Surface active : 5,6 x 5,6 mm
- Tension de claquage : 400, <450 V
- Capacitance : 60 pF
- Courant d'obscurité : 1,5 nA
- Gain : > 100
- Courant de bruit :
- Temps de réponse : 2 ns
- Sensibilité de photodétection : 26 A/W pour C30739ECERH, 52 A/W pour C30739ECERH-2 à 430 nm et gain type
- Temps de montée/descente : 2 ns
- Courant de bruit spectral : 0,3 pA/√Hz pour C30739ECERH, 0,4 pA/√Hz pour C30739ECERH-2
- Longueur d'onde : 400 à 700 nm