C30817EH – Si APD, 0,8 mm, TO-5 bas profil
La photodiode à avalanche au silicium C30817EH à usage général est conçue à l'aide d'une structure à double diffusion « reach through ». Cette structure offre une grande sensibilité de photodétection entre 400 et 1100 nm, ainsi que des temps de montée et de descente rapides à toutes les longueurs d'onde. Comme la caractéristique du temps de chute n'a pas de « queue », la sensibilité de photodétection de l'appareil est indépendante de la fréquence de modulation jusqu'à environ 200 MHz.
Le modèle C30817 est hermétiquement scellé derrière une fenêtre en verre plat dans un boîtier à profil bas TO-5 modifié.
Caractéristiques principales :
- Haut rendement quantique
- 85 % standard à 900 nm
- 18 % standard à 1060 nm
- Intervalle de réponse spectrale : de 400 à 1100 nm
- Réponse rapide
- Temps de montée et de descente type de 2 ns
- Large plage de températures de fonctionnement
Utilisations :
- Détection laser
- Télémétrie
- Communications optiques
- Commutation rapide
- Mesures des temps de transit
Active Area: 0.5 mm²
Active Diameter: 0.8 mm
Breakdown Voltage: 375 V
Capacitance: 2 pF
Dark Current: 50 nA
Gain: 120
Noise Current: 1 pA/√Hz
Package: TO-5, flat window
Responsivity:
- 75 A/W at 900 nm
- 18 A/W at 1060 nm
Rise/Fall Time: 2 ns
Temperature Coefficient: 0.7 V/°C
Wavelength: 400-1100 nm
Active Area: 0.5 mm²
Active Diameter: 0.8 mm
Breakdown Voltage: 375 V
Capacitance: 2 pF
Dark Current: 50 nA
Gain: 120
Noise Current: 1 pA/√Hz
Package: TO-5, flat window
Responsivity:
- 75 A/W at 900 nm
- 18 A/W at 1060 nm
Rise/Fall Time: 2 ns
Temperature Coefficient: 0.7 V/°C
Wavelength: 400-1100 nm