C30884EH – PDA Si, 1 mm, TO-5
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30884EH se caractérise par une très grande capacité de modulation avec une grande sensibilité de photodétection et des temps de montée et de descente rapides. Comme la caractéristique du temps de chute n'a pas de « queue », la sensibilité de photodétection de l'appareil est indépendante de la fréquence de modulation jusqu'à environ 400 MHz. Cette Si APD, fabriquée à l'aide d'une structure « reach-through » à double diffusion, est optimisée pour une grande sensibilité de photodétection aux longueurs d'onde inférieures à 1000 nm.
Le modèle C30884EH est hermétiquement scellé derrière une fenêtre en verre plat dans un boîtier TO-5 à profil bas modifié.
Utilisations :
- Communications optiques
- Télémétrie laser
- Commutation à grande vitesse
High Quantum Efficiency:
- 85% typical at 900 nm
- 10% typical at 1060 nm
Spectral Response Range– (10% Points) 400 to 1100 nm
Fast Time Response:
- Rise time: 1 ns
- Fall time: 1 ns
Wide operating Temperature Range: -40°C to 70°C
Hermetically Sealed Low-Profile TO-5 package
High Quantum Efficiency:
- 85% typical at 900 nm
- 10% typical at 1060 nm
Spectral Response Range– (10% Points) 400 to 1100 nm
Fast Time Response:
- Rise time: 1 ns
- Fall time: 1 ns
Wide operating Temperature Range: -40°C to 70°C
Hermetically Sealed Low-Profile TO-5 package