PIÈCE/ C30916EH
C30916EH – Si APD, 1,5 mm, TO-5 bas profil
La photodiode à avalanche au silicium de grande surface C30916EH offre un diamètre de surface active de 1,5 mm dans un boîtier TO-5.
La C30916EH d'Excelitas est une photodiode à avalanche au silicium à usage général fabriquée à l'aide d'une structure à double diffusion de type « reach through ». Cette structure présente une responsivité de photodétection entre 400 et 1000 nm, ainsi que des temps de montée et de descente extrêmement rapides à toutes les longueurs d'onde.
Caractéristiques et avantages :
- Faible bruit
- Gain élevé
- Rendement quantique élevé
- Option de refroidissement thermoélectrique (TEC) intégrée
Utilisations :
- Télémétrie laser
- LiDAR
- Communication dans l'espace libre
- Spectrophotométrie
- Détection fluorimétrique
| Région active | 1,7 mm² |
| Diamètre actif | 1,5 mm |
| Tension de claquage | >315, 390, <490 V |
| Capacitance | 3pF |
| Courant d’obscurité | 100 nA |
| Gain | 80 |
| NEP | 20 fW/√Hz |
| Boîtier | TO-5 |
| Longueur d’onde de sensibilité maximale | 900 nm |
| Sensibilité | >50 A/W à 900 nm, 12 A/W à 1060 nm |
| Temps de montée/descente | 3 ns |
| Région active | 1,7 mm² |
| Diamètre actif | 1,5 mm |
| Tension de claquage | >315, 390, <490 V |
| Capacitance | 3pF |
| Courant d’obscurité | 100 nA |
| Gain | 80 |
| NEP | 20 fW/√Hz |
| Boîtier | TO-5 |
| Longueur d’onde de sensibilité maximale | 900 nm |
| Sensibilité | >50 A/W à 900 nm, 12 A/W à 1060 nm |
| Temps de montée/descente | 3 ns |