C30916EH – Si APD, 1,5 mm, TO-5 bas profil
La photodiode à avalanche au silicium de grande surface C30916EH offre un diamètre de surface active de 1,5 mm dans un boîtier TO-5.
La C30916EH d'Excelitas est une photodiode à avalanche au silicium à usage général fabriquée à l'aide d'une structure à double diffusion de type « reach through ». Cette structure présente une responsivité de photodétection entre 400 et 1000 nm, ainsi que des temps de montée et de descente extrêmement rapides à toutes les longueurs d'onde.
Caractéristiques et avantages :
- Faible bruit
- Gain élevé
- Rendement quantique élevé
- Option de refroidissement thermoélectrique (TEC) intégrée
Utilisations :
- Télémétrie laser
- LiDAR
- Communication dans l'espace libre
- Spectrophotométrie
- Détection fluorimétrique
Active Area: 1.7 mm²
Active Diameter: 1.5 mm
Breakdown Voltage: >315, 390, <490 V
Capacitance: 3pF
Dark Current: 100 nA
Gain: 80
NEP: 20 fW/√Hz
Package: TO-5
Peak Sensitivity Wavelength: 900 nm
Responsivity: >50 A/W at 900 nm, 12 A/W at 1060 nm
Rise/Fall Time: 3 ns
Active Area: 1.7 mm²
Active Diameter: 1.5 mm
Breakdown Voltage: >315, 390, <490 V
Capacitance: 3pF
Dark Current: 100 nA
Gain: 80
NEP: 20 fW/√Hz
Package: TO-5
Peak Sensitivity Wavelength: 900 nm
Responsivity: >50 A/W at 900 nm, 12 A/W at 1060 nm
Rise/Fall Time: 3 ns