Récepteur APD en silicium LLAM-1060E-R8BH d'Excelitas
PIÈCE/ LLAM-1060E-R8BH

LLAM-1060E-R8BH – Récepteur Si APD, 0,8 mm, TO-66, 200 MHz, refroidisseur, seuil de résistance élevé aux dommages

Le LLAM-1060E-R8BH est un récepteur à photodiodes à avalanche (APD) à faible luminosité et haute vitesse analogique avec un récepteur APD en silicium de 1060 nm. Ce récepteur Si APD équipé d'un refroidisseur thermoélectrique possède un diamètre actif de 0,8 mm et une largeur de bande de 200 MHz.

La série LLAM de modules APD est dotée d'une puce à photodiode à avalanche, d'un refroidisseur thermoélectrique et d'un préamplificateur dans le même boîtier hermétiquement scellé. Le module conforme à la directive RoHS est offert dans un boîtier à collerette 12-broches TO-66 facile à installer et fournit un moyen de dissipation de la chaleur supplémentaire. L'utilisation d'un refroidisseur thermoélectrique assure un bruit plus faible et une sensibilité de photodétection constante sur une plage de température ambiante de 5°C à 40°C. Les modules de la série LLAM sont conçus pour la détection de signaux analogiques à grande vitesse et à faible luminosité.

Les modules préamplificateurs InGaAs LLAM-1060E et -1550E d'Excelitas sont conçus pour présenter des seuils de résistance plus élevés aux dommages, ce qui leur procure une plus grande résilience lorsqu'ils sont exposés à des densités de puissance optique élevées.

Le LLAM-1060-R8BH est équipé d'APD C30954EH d'Excelitas.

Utilisations :

  • Télémétrie laser
  • Reconnaissance de cibles
  • Capteurs de température distribués (DTS)
  • Microscopie confocale
  • Instruments d'analyse
  • Communication optique haute vitesse en espace libre

 

Active Area: 0.5 mm²
Active Diameter: 0.8 mm
Bandwidth: 200 MHz
NEP:

  • 30-90 fW/√Hz at 830 nm
  • 25-80 fW/√Hz at 900 nm
  • 50-150 fW/√Hz at 1064 nm

Peak Sensitivity Wavelength: 1064 nm
Responsivity:

  • 325 kV/W at 830 nm
  • 370 kV/W at 900 nm
  • 200 kV/W at 1064 nm

Rise/Fall Time: 2 ns
Temperature Coefficient: 2.2 V/°C

Active Area: 0.5 mm²
Active Diameter: 0.8 mm
Bandwidth: 200 MHz
NEP:

  • 30-90 fW/√Hz at 830 nm
  • 25-80 fW/√Hz at 900 nm
  • 50-150 fW/√Hz at 1064 nm

Peak Sensitivity Wavelength: 1064 nm
Responsivity:

  • 325 kV/W at 830 nm
  • 370 kV/W at 900 nm
  • 200 kV/W at 1064 nm

Rise/Fall Time: 2 ns
Temperature Coefficient: 2.2 V/°C

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