Photodiodes de série YAG-200 – Si PIN – 5,1 mm
Les détecteurs PIN au silicium de la série YAG d'Excelitas Technologies sont des photodiodes Si PIN de type N ou P à haute performance offertes en boîtiers TO hermétiques.
Ces photodiodes offrent une bonne performance sur la gamme de longueurs d'onde de 400 à 1100 nm, ainsi qu'une meilleure responsivité aux IR, ce qui les rend idéales pour les applications de détection à 1064 nm.
Un anneau de garde recueille le courant généré en dehors de la zone active, ce qui garantit que le courant ne produira pas de bruit.
En raison de sa grande surface active, le dispositif est utile pour obtenir des informations positionnelles à partir de points focalisés et défocalisés en mode pulsé ou continu.
Caractéristiques principales et avantages :
- Efficacité quantique élevée à 1064 nm
- Style de boîtier : boîtier TO hermétique
- Offert en configuration de type N ou P
- Diamètre de la surface active (mm) : 5,1
Active diameter (mm): 5.1
Active area per element (mm²): 20
Typical Capacitance per quadrant (pF): 12
Typical responsivity at 900 nm (A/W): 0.60
Typical responsivity at 1064 nm (A/W): 0.44
Typical responsivity at 1064 nm for -AR suffix (A/W): 0.47
Typical rise time, 50Ω load (ns): 12
Maximal operating voltage (V): 180
Minimal Breakdown Voltage (V): 200
Typical capacitance (pF): 6
Typical dark current (nA): 25
Maximal dark current (nA): 100
Typical noise current (pA/√Hz): 0.09
Noise equivalent power (NEP) at 1064 nm (pW/√Hz): 0.13
Package: TO-8 custom
Storage temperature range (℃): -55 to 125
Operating temperature range (℃): -55 to 125
Active diameter (mm): 5.1
Active area per element (mm²): 20
Typical Capacitance per quadrant (pF): 12
Typical responsivity at 900 nm (A/W): 0.60
Typical responsivity at 1064 nm (A/W): 0.44
Typical responsivity at 1064 nm for -AR suffix (A/W): 0.47
Typical rise time, 50Ω load (ns): 12
Maximal operating voltage (V): 180
Minimal Breakdown Voltage (V): 200
Typical capacitance (pF): 6
Typical dark current (nA): 25
Maximal dark current (nA): 100
Typical noise current (pA/√Hz): 0.09
Noise equivalent power (NEP) at 1064 nm (pW/√Hz): 0.13
Package: TO-8 custom
Storage temperature range (℃): -55 to 125
Operating temperature range (℃): -55 to 125