YAG-444-4 – Série de Si PIN quadrant – 11,3 mm
Les détecteurs à quadrants PIN en silicium de la série YAG sont des photodiodes Si PIN de type N ou P à haute performance dans des boîtiers TO hermétiquement scellés.
Ces photodiodes offrent une bonne performance sur la gamme de longueurs d'onde de 400 à 1100 nm, ainsi qu'une meilleure responsivité aux IR, ce qui les rend idéales pour les applications de détection à 1064 nm.
Un anneau de garde recueille le courant généré en dehors de la zone active, ce qui garantit que le courant ne produira pas de bruit.
En raison de sa grande surface active, le dispositif est utile pour obtenir des informations positionnelles à partir de points focalisés et défocalisés en mode pulsé ou continu.
Caractéristiques principales :
- Efficacité quantique élevée à 1064 nm
- Diaphonie de <1 % entre les éléments
- Pas de « zones mortes » entre les quadrants (type P)
- Style de boîtier : boîtier TO hermétique
- Offert en configuration de type N ou P avec élément chauffant et revêtement antireflet en option
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Number of elements: 4
Active diameter (mm): 11.3
Active area per element (mm²): 25
Typical Capacitance per quadrant (pF): 12
Typical responsivity at 900 nm (A/W): 0.60
Typical responsivity at 1064 nm (A/W): 0.44
Typical responsivity at 1064 nm for -AR and -ARH suffix (A/W): 0.47
Typical rise time, 50Ω load (ns): 12
Maximal operating voltage (V): 180
Minimal Breakdown Voltage (V): 200
Typical capacitance per element (pF): 9
Maximal capacitance per element (pF): 15
Typical dark current per element (nA): 30
Maximal dark current per element (nA): 100
Typical noise current per element (pA/√Hz): 0.20
Noise equivalent power (NEP) at 900 nm per element (pW/√Hz): 0.25
Noise equivalent power (NEP) at 1064 per element nm (pW/√Hz): 0.30
Heater resistance at 25℃ (-H suffix) (kΩ): 10±2
Heater peak power (-H suffix) (W): 16.1
Maximal heater DC voltage (-H suffix) (V): 24
Package: TO-36 custom
Storage temperature range (℃): -55 to 125
Operating temperature range (℃): -55 to 125
Operating temperature range for -H suffix (℃): -40 to 85
Maximal Heater Voltage (V): 12
Number of elements: 4
Active diameter (mm): 11.3
Active area per element (mm²): 25
Typical Capacitance per quadrant (pF): 12
Typical responsivity at 900 nm (A/W): 0.60
Typical responsivity at 1064 nm (A/W): 0.44
Typical responsivity at 1064 nm for -AR and -ARH suffix (A/W): 0.47
Typical rise time, 50Ω load (ns): 12
Maximal operating voltage (V): 180
Minimal Breakdown Voltage (V): 200
Typical capacitance per element (pF): 9
Maximal capacitance per element (pF): 15
Typical dark current per element (nA): 30
Maximal dark current per element (nA): 100
Typical noise current per element (pA/√Hz): 0.20
Noise equivalent power (NEP) at 900 nm per element (pW/√Hz): 0.25
Noise equivalent power (NEP) at 1064 per element nm (pW/√Hz): 0.30
Heater resistance at 25℃ (-H suffix) (kΩ): 10±2
Heater peak power (-H suffix) (W): 16.1
Maximal heater DC voltage (-H suffix) (V): 24
Package: TO-36 custom
Storage temperature range (℃): -55 to 125
Operating temperature range (℃): -55 to 125
Operating temperature range for -H suffix (℃): -40 to 85
Maximal Heater Voltage (V): 12