905nm大容量脉冲半导体激光二极管

埃赛力达第3代TPG3AD1S09脉冲激光二极管是一款高效率的905 nm边缘发射激光二极管，采用SMD封装。TPG3AD1S09具有3 W/A功率斜率，在40 A下工作时，输出功率可增至120 W，扩大了检测范围，以支持未来的应用。这款脉冲激光二极管提供了非常适合长距离测距仪应用的高输出功率，并为中短距离系统提供了高效的解决方案。

埃赛力达第2代脉冲半导体激光器采用多层单片芯片设计，在近IR中以905 nm发射。其改进的GaAs结构在以30 A驱动时可提供85 W脉冲峰值功率。多层芯片设计的发射面积为 (225 x 10) μm（通过发射三条激光线），可在小发射面积中提供高输出功率。T1¾（类似于TO）塑料密闭封装是对埃赛力达的密封金属或SMD封装PGA系列外腔激光器的补充，非常适合大批量应用。

TPGAD1S03H是采用SMD封装的高效905 nm脉冲激光二极管，由条带宽度为75µm的单堆叠三腔芯片组成。经测试，在10A电流下，其输出功率为20W，脉冲宽度为50 ns，亦可提供多种其他封装。

TPGAD1S09H是采用SMD封装的高效905 nm脉冲激光二极管，由条带宽度为225µm的单堆叠三腔芯片组成。经测试，在30A电流下，其输出功率为70W，脉冲宽度为50 ns，亦可提供多种其他封装。

PGAD1S03H是采用SMD封装的高效905nm脉冲激光二极管，由条带宽度为75µm的单堆叠、单腔芯片组成。经测试，在10A电流下，其输出功率为8W，脉冲宽度为50 ns，亦可提供多种其他封装。

LTPGAU 1 S 03是采用金属封装的高效905 nm脉冲激光二极管，由条纹宽度为75µm的单堆叠三腔芯片组成。以100 ns宽脉冲测得其在10 A电流条件下具有24 W功率，并具有多种其他包装。

LQPGAU1S03是采用金属封装的高效905 nm脉冲激光二极管，由条纹宽度为75µm的单堆叠三腔芯片组成。以100ns脉宽进行测试，它在通入10A的电流时提供24 W功率，并有多种封装形式。

LTPGAU 1 S 09是采用金属封装的高效905 nm脉冲激光二极管，由条纹宽度为225µm的单堆叠三腔芯片组成。以100 ns宽脉冲测得其在30 A电流条件下具有75 W功率，并具有多种其他包装。

PGEW1S03H是采用塑封的高效905nm脉冲激光二极管，由一个条宽为75µm的单堆叠单腔芯片构成。经测试，在10A电流下，其输出功率为6.5W，脉冲宽度为100 ns，亦可提供多种其他封装。

DPGEW1S03H是采用塑料封装的高效率905 nm脉冲激光二极管，由条带宽度为75 µm的单堆叠双腔芯片组成。经测试，在10A电流下，其输出功率为13W，脉冲宽度为100 ns，亦可提供多种其他封装。

TPGEW1S03H是采用塑料封装的高效905 nm脉冲激光二极管，由条带宽度为75µm的单堆叠三腔芯片组成。经测试，在10A电流下，其输出功率为20W，脉冲宽度为100 ns，亦可提供多种其他封装。

PGEW1S09H是采用塑料封装的高效905nm脉冲激光二极管，由条带宽度为225µm的单堆叠、单腔芯片组成。经测试，在30A电流下，其输出功率为23W，脉冲宽度为100 ns，亦可提供多种其他封装。

DPGEW1S09H是采用塑料封装的高效率905 nm脉冲激光二极管，由条带宽度为225 µm的单堆叠双腔芯片组成。经测试，在30A电流下，其输出功率为45W，脉冲宽度为100 ns，亦可提供多种其他封装。

TPGEW1S09H是采用塑料封装的高效905 nm脉冲激光二极管，由条宽为225 µm的单堆叠三腔芯片组成。它在使用100 ns脉宽测试时在30 A可提供70 W输出，并具有多种其他封装形式。

QPGEW1S01.5H是采用塑料封装的高效905 nm脉冲激光二极管，由条带宽度为37.5 µm的单堆叠四腔芯片组成。经测试，在5A电流下，其输出功率为10W，脉冲宽度为100 ns，亦可提供多种其他封装。

QPGEW1S03H是塑封的高效905nm脉冲激光二极管，由一个条宽为75µm的单堆叠四腔芯片构成。经测试，在10A电流下，其输出功率为25W，脉冲宽度为100 ns，亦可提供多种其他封装。

QPGEW1S09H是塑封的高效905nm脉冲激光二极管，由一个条宽为225µm的单堆叠四腔芯片构成。经测试，在30A电流下，其输出功率为85W，脉冲宽度为100 ns，亦可提供多种其他封装。