零件/ TPG2EW1S09
TPG2EW1S09 - 905nm第2代三腔225 µm塑料PLD
埃赛力达第2代脉冲半导体激光器采用多层单片芯片设计，在近IR中以905 nm发射。其改进的GaAs结构在以30 A驱动时可提供85 W脉冲峰值功率。多层芯片设计的发射面积为 (225 x 10) μm（通过发射三条激光线），可在小发射面积中提供高输出功率。T1¾（类似于TO）塑料密闭封装是对埃赛力达的密封金属或SMD封装PGA系列外腔激光器的补充，非常适合大批量应用。
这种905 nm脉冲激光二极管采用TO式塑料封装设计，适用于大型、商业LiDAR和测距仪应用。
埃赛力达提供一系列905 nm激光器，其中包括多腔单片结构，在第一代设备上每个芯片最多具有四(4)个有源腔。我们的第二代激光器在相同驱动电流下光功率增加20%以上。工作中心波长与我们的大容量雪崩光电二极管C30737系列的峰值响应非常匹配。
- 905nm脉冲激光器
- PG2EW系列：商用塑料封装
- 225 µm条纹宽度，查询其他几何形状
- 3 W/A功率斜率
- 具有量子阱结构的多腔激光器
- 功率下降< 20% @ Tmax
- 比第1代设备的峰值脉冲功率提高>20%
- 出色的温度稳定性
- 905nm脉冲激光器
- PG2EW系列：商用塑料封装
- 225 µm条纹宽度，查询其他几何形状
- 3 W/A功率斜率
- 具有量子阱结构的多腔激光器
- 功率下降< 20% @ Tmax
- 比第1代设备的峰值脉冲功率提高>20%
- 出色的温度稳定性
