雪崩光电二极管
埃赛力达同时提供硅（Si）和铟镓砷（InGaAs）材质的雪崩光电二极管（APD）。硅APD覆盖从400nm至1100nm的光谱范围，铟镓砷APD覆盖从950nm至1550nm的光谱范围。雪崩光电二极管（APD）具有比标准光电二极管更高的灵敏度，而且雪崩光电二极管适用于低强度光线检测和光子计数。
在许多设备中，使用APD光电探测器代替PIN光电探测器，可以提高灵敏度。APD光电检测器通常用于放大器噪声较高的设备中，例如，比PIN光电检测器中的放大器噪声高得多的设备。
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为何选择埃赛力达作为雪崩光电二极管解决方案供应商？
埃赛力达在光电子行业拥有数十年的丰富经验，在为原始设备制造商和最终用户客户设计和制造先进的光电子解决方案方面已成为行业领导者。我们致力于提供符合您的目标并与您的预期应用无缝集成的产品，解决您所面临的最大挑战。我们对质量的承诺包括我们的雪崩光电二极管，这些产品可在各种应用中提高光灵敏度。雪崩光电二极管具有卓越的性能，特别是在放大器噪声远高于PIN光电探测器的应用以及极低亮度 (LLL) 检测和光子计数应用中。在寻找符合您需求的光电二极管解决方案时，请不要忘记埃赛力达的专业知识。
雪崩光电二极管有哪些不同用途？
雪崩光电二极管（APD）是一种半导体器件，具有更高的光子探测灵敏度，能够测量极低亮度的光并将其转换为电信号。它们具有与PIN光电二极管类似的结构，但可在最大反向偏置条件下工作，使得光子影响生成的电子和空穴倍增。具有高光子检测灵敏度的APD被广泛用于需要检测敏感光的应用，如共聚焦显微镜和PET扫描仪。
你们提供哪些类型的雪崩光电二极管？
埃赛力达提供硅 (Si) 和铟镓砷（InGaAs）APD。其光谱范围分别为400 nm至1100 nm和950 nm至1550 nm。我们全面的先进APD解决方案包括以下各项：
- 高性能硅APD - 具有低噪声和高量子效率，在成本和性能之间提供最佳的折衷方案，尤其适用于需要在400 nm和1100 nm之间进行高速、低噪声检测的应用。
- 大面积UV增强型APD - 适用于光谱范围400 nm以下到700 nm以上的各种宽带低光度应用。这些类型的APD提供扁平封装，适用于需要直接检测或易于耦合到闪烁晶体的应用。
- 混合光学APD接收器模块－这些模块采用密封封装，内含一个光电探测器和一个跨阻放大器，可以从周围环境中拾取低噪声并减少寄生电容。
- 高容量、高成本效益的硅APD - 该系列APD在800至950 nm波长范围内具有高响应度，专为高容量、低成本应用而设计。
- APD四象限探测器 - 采用双扩散“直通”结构，在400至1000 nm波长范围内提供超高灵敏度，能够消除像素之间的死角，有助于实现最佳性能。
- 高性能铟镓砷APD - 大面积、高速APD，可在1100 nm和1700 nm之间的光谱范围内提供高量子效率、高响应度和低噪声。
- 1064nm长波长增强型硅APD - 采用双扩散“直通”结构制造，可在不引入不良特性的情况下实现长波响应。这些APD在1060 nm波长下的量子效率高达40%。
雪崩光电二极管有哪些应用？
雪崩光电二极管根据雪崩倍增原理工作，可在器件内部进行信号放大。最适合在以下应用中测量低强度光信号：
- 激光显微镜
- PET扫描仪
- 激光扫描仪
- 激光测距仪
- 测速枪
- 条形码读取器
- 通信中的光纤接收器
- 光学时域反射仪（OTDR）
你们是否提供定制雪崩光电二极管解决方案？
是的。埃赛力达自豪地为客户提供各种现成的产品，以满足客户的目标和要求，确保与您当前的系统轻松集成。但如果您有更特殊的应用需求，我们也能满足您的特殊要求。尽管我们的产品符合制造和设计的最高标准，但我们真正的能力在于将您的愿景变为现实。我们可以在从设计到制造的所有生产和开发阶段与您合作，让您的愿景与我们的生产标准保持一致，确保我们的最终产品满足您的期望，同时优化质量、成本和上市时间。如果您正在寻找符合您和您的最终用户需求的定制解决方案，请与我们联系。