埃赛力达C30724EH Si APD
零件/ C30724EH

C30724EH—硅APD,500um,TO封装

C30724EH硅雪崩光电二极管(Si APD)采用金属TO封装,提供920 nm的峰值灵敏度和低温系数。

C30724系列APD在800至950 nm的波长范围内具有高响应度,上升和下降时间约为5 ns,下降时间无“拖尾”特征。该系列APD非常适合大体积905 nm激光测距应用,可在固定电压下工作,无需温度补偿。C30724EH的特别之处是采用气密TO-18金属封装。

主要特性:

  • 采用金属TO罐体封装带905 nm滤光片的Si APD
  • 5 ns上升+下降时间-无拖尾
  • 低放大倍数下运行
  • 无需温度补偿

关键应用:

  • 激光测距
  • 激光测距仪
  • 交通测速枪

有效区域 0.2mm2
感光直径 0.5 mm
击穿电压 350V
电容 1 pF
暗电流 20 nA
增益 >12, 15, <18
噪声电流 0.1 pA/√Hz
封装 TO-18
峰值灵敏度波长 920 nm
光敏直径 0.5 mm
光敏直径 0.5 mm
响应度 920 nm时为8.5 A/W
上升/下降时间 5 ns
总暗电流(基板+表面) 20 nA
工作电压范围 150-200 V
波长 400-1100 nm
有效区域 0.2mm2
感光直径 0.5 mm
击穿电压 350V
电容 1 pF
暗电流 20 nA
增益 >12, 15, <18
噪声电流 0.1 pA/√Hz
封装 TO-18
峰值灵敏度波长 920 nm
光敏直径 0.5 mm
光敏直径 0.5 mm
响应度 920 nm时为8.5 A/W
上升/下降时间 5 ns
总暗电流(基板+表面) 20 nA
工作电压范围 150-200 V
波长 400-1100 nm
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