埃赛力达C30724EH Si APD
零件/ C30724EH

C30724EH—硅APD,500um,TO封装

C30724EH硅雪崩光电二极管(Si APD)采用金属TO封装,提供920 nm的峰值灵敏度和低温系数。

C30724系列APD在800至950 nm的波长范围内具有高响应度,上升和下降时间约为5 ns,下降时间无“拖尾”特征。该系列APD非常适合大体积905 nm激光测距应用,可在固定电压下工作,无需温度补偿。C30724EH的特别之处是采用气密TO-18金属封装。

主要特性:

  • 采用金属TO罐体封装带905 nm滤光片的Si APD
  • 5 ns上升+下降时间-无拖尾
  • 低放大倍数下运行
  • 无需温度补偿

关键应用:

  • 激光测距
  • 激光测距仪
  • 交通测速枪

 

 

感光面积:0.2mm2
感光直径:0.5 mm
击穿电压:350V
电容:1 pF
暗电流:20 nA
增益:>12、15、<18
噪声电流:0.1pA/√Hz
封装:TO-18
峰值灵敏度波长:920 nm
光敏直径:0.5 mm
光敏直径:0.5 mm
响应度:在920 nm处为8.5 A/W
上升/下降时间:5 ns
总暗电流(基板+表面):20 nA
工作电压范围:150-200 V
波长:400-1100nm

感光面积:0.2mm2
感光直径:0.5 mm
击穿电压:350V
电容:1 pF
暗电流:20 nA
增益:>12、15、<18
噪声电流:0.1pA/√Hz
封装:TO-18
峰值灵敏度波长:920 nm
光敏直径:0.5 mm
光敏直径:0.5 mm
响应度:在920 nm处为8.5 A/W
上升/下降时间:5 ns
总暗电流(基板+表面):20 nA
工作电压范围:150-200 V
波长:400-1100nm

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