C30724PH Si APD针对800至950 nm的波长范围进行了优化。该硅APD特别适合大批量905 nm激光测距应用，可以在固定电压下运行，无需温度补偿。
主要特性：
- 带有920 nm峰值灵敏度波长的Si APD
- 大体积设备
- 塑料TO封装
- 5 ns上升+下降时间-无拖尾
- 低放大倍数下运行
- 无需温度补偿
应用领域：
- 激光测距
- 激光测距仪
- 交通测速枪
| 感光直径 | 0.5 mm |
| 击穿电压 | 350V |
| 电容 | 1 pF |
| 暗电流 | 20, <40 nA |
| 增益 | >12, 15, <18 |
| 噪声电流 | 0.1, <0.25 pA/√Hz |
| 封装 | T1 ¾塑料 (TO-18) |
| 峰值灵敏度波长 | 920 nm |
| 响应度 | 920 nm时为8.5 A/W |
| 上升/下降时间 | 5 ns |
| 总暗电流（基板+表面） | 20, <40 nA |
| 工作电压范围 | 120-200 V |
| 波长 | 400-1100 nm |
| 感光直径 | 0.5 mm |
| 击穿电压 | 350V |
| 电容 | 1 pF |
| 暗电流 | 20, <40 nA |
| 增益 | >12, 15, <18 |
| 噪声电流 | 0.1, <0.25 pA/√Hz |
| 封装 | T1 ¾塑料 (TO-18) |
| 峰值灵敏度波长 | 920 nm |
| 响应度 | 920 nm时为8.5 A/W |
| 上升/下降时间 | 5 ns |
| 总暗电流（基板+表面） | 20, <40 nA |
| 工作电压范围 | 120-200 V |
| 波长 | 400-1100 nm |