C30724PH Si APD针对800至950 nm的波长范围进行了优化。该硅APD特别适合大批量905 nm激光测距应用，可以在固定电压下运行，无需温度补偿。
主要特性：
- 带有920 nm峰值灵敏度波长的Si APD
- 大体积设备
- 塑料TO封装
- 5 ns上升+下降时间-无拖尾
- 低放大倍数下运行
- 无需温度补偿
应用领域：
- 激光测距
- 激光测距仪
- 交通测速枪
感光直径：0.5 mm
击穿电压：350V
电容：1 pF
暗电流：20、<40 nA
增益：>12、15、<18
噪声电流：0.1、<0.25 pA/√Hz
封装：T1 ¾塑料（TO-18）
峰值灵敏度波长：920 nm
响应度：在920 nm处为8.5 A/W
上升/下降时间：5 ns
总暗电流（基板+表面）：20、<40 nA
工作电压范围：120-200 V
波长：400-1100nm
感光直径：0.5 mm
击穿电压：350V
电容：1 pF
暗电流：20、<40 nA
增益：>12、15、<18
噪声电流：0.1、<0.25 pA/√Hz
封装：T1 ¾塑料（TO-18）
峰值灵敏度波长：920 nm
响应度：在920 nm处为8.5 A/W
上升/下降时间：5 ns
总暗电流（基板+表面）：20、<40 nA
工作电压范围：120-200 V
波长：400-1100nm