C30845EH象限N型PIN光电二极管专为在广泛的宽带低光度应用中使用而设计。
零件/ C30845EH

C30845EH - Si PIN - 8mm- TO-8,象限

C30845EH是高品质的N型硅PIN象限光电二极管，采用气密TO-8封装，专为300至1100 nm波长范围而设计。由于面积大(50 mm²)，该器件可用于从脉冲或连续波模式下的聚焦和散焦点获得位置信息。

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特征：

  • 50 mm的大光敏表面积²
  • 45 V的低工作电压(Vop)
  • 气密封装
  • 光谱响应范围 - 400至1100 nm
  • 极低象限分离 - 0.25 mm
C30845EH在室温下的典型光谱响应度。

感光直径 (mm)：8
感光面积（mm²）：50
最低击穿电压（V）：100
每个元件的典型电容（pF）：8
每个元件的最大电容（pF）：10
每个元件在10 V下的典型暗电流(nA)：70
每个元件在10 V下的最大暗电流(nA)：200
每个元件在45 V下的典型暗电流(nA)：200
每个元件在45 V下的最大暗电流(nA)：700
每个元件在900 nm处的典型噪声电流(pA/√Hz)：0.43
每个元件在900 nm处的最大噪声电流(pA/√Hz)：1.80
每个元件在1060 nm处的典型噪声电流(pA/√Hz)：1.5
每个元件在1060 nm处的最大噪声电流(pA/√Hz)：6.5
典型上升时间(ns)：6
典型下降时间(ns)：10
储存温度(℃)：-60至100
工作温度(℃)：-40至80

感光直径 (mm)：8
感光面积（mm²）：50
最低击穿电压（V）：100
每个元件的典型电容（pF）：8
每个元件的最大电容（pF）：10
每个元件在10 V下的典型暗电流(nA)：70
每个元件在10 V下的最大暗电流(nA)：200
每个元件在45 V下的典型暗电流(nA)：200
每个元件在45 V下的最大暗电流(nA)：700
每个元件在900 nm处的典型噪声电流(pA/√Hz)：0.43
每个元件在900 nm处的最大噪声电流(pA/√Hz)：1.80
每个元件在1060 nm处的典型噪声电流(pA/√Hz)：1.5
每个元件在1060 nm处的最大噪声电流(pA/√Hz)：6.5
典型上升时间(ns)：6
典型下降时间(ns)：10
储存温度(℃)：-60至100
工作温度(℃)：-40至80

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