零件/ C30845EH
C30845EH - Si PIN - 8mm- TO-8,象限
C30845EH是高品质的N型硅PIN象限光电二极管，采用气密TO-8封装，专为300至1100 nm波长范围而设计。由于面积大(50 mm²)，该器件可用于从脉冲或连续波模式下的聚焦和散焦点获得位置信息。
特征：
- 50 mm的大光敏表面积²
- 45 V的低工作电压(Vop)
- 气密封装
- 光谱响应范围 - 400至1100 nm
- 极低象限分离 - 0.25 mm
| 感光直径 (mm) | 8 |
| 感光面积 (mm²) | 50 |
| 最低击穿电压 (V) | 100 |
| 每个元件的典型电容 (pF) | 8 |
| 每个元件的最大电容 (pF) | 10 |
| 每个元件在10 V下的典型暗电流(nA) | 70 |
| 每个元件在10 V下的最大暗电流(nA) | 200 |
| 每个元件在45 V下的典型暗电流(nA) | 200 |
| 每个元件在45 V下的最大暗电流(nA) | 700 |
| 每个元件在900 nm处的典型噪声电流 (pA/√Hz) | 0.43 |
| 每个元件在900 nm处的最大噪声电流 (pA/√Hz) | 1.80 |
| 每个元件在1060 nm处的典型噪声电流 (pA/√Hz) | 1.5 |
| 每个元件在1060 nm处的最大噪声电流 (pA/√Hz) | 6.5 |
| 典型上升时间 (ns) | 6 |
| 典型下降时间 (ns) | 10 |
| 储存温度 (℃) | -60至100 |
| 工作温度 (℃) | -40至80 |
| 感光直径 (mm) | 8 |
| 感光面积 (mm²) | 50 |
| 最低击穿电压 (V) | 100 |
| 每个元件的典型电容 (pF) | 8 |
| 每个元件的最大电容 (pF) | 10 |
| 每个元件在10 V下的典型暗电流(nA) | 70 |
| 每个元件在10 V下的最大暗电流(nA) | 200 |
| 每个元件在45 V下的典型暗电流(nA) | 200 |
| 每个元件在45 V下的最大暗电流(nA) | 700 |
| 每个元件在900 nm处的典型噪声电流 (pA/√Hz) | 0.43 |
| 每个元件在900 nm处的最大噪声电流 (pA/√Hz) | 1.80 |
| 每个元件在1060 nm处的典型噪声电流 (pA/√Hz) | 1.5 |
| 每个元件在1060 nm处的最大噪声电流 (pA/√Hz) | 6.5 |
| 典型上升时间 (ns) | 6 |
| 典型下降时间 (ns) | 10 |
| 储存温度 (℃) | -60至100 |
| 工作温度 (℃) | -40至80 |