零件号
C30845EH
C30845EH - Si PIN - 8mm- TO-8,象限
C30845EH是高品质的N型硅PIN象限光电二极管，采用气密TO-8封装，专为300至1100 nm波长范围而设计。由于面积大(50 mm²)，该器件可用于从脉冲或连续波模式下的聚焦和散焦点获得位置信息。
象限探测器
利用我们的象限PIN和雪崩光电探测器可以实现精确的光束定位。它们采用4以掺杂工艺制成的扇形象限截面设计，从而将每个象限之间的“盲区”空间减少到几乎为零。他们的结构允许在400到1100nm范围内检测光子的高量子效率和快速响应。
产品清单
零件号
C30927EH-02
C30927EH-02硅APD四象限探测器 - 1.5mm - 900 nm
C30927EH-02四象限硅雪崩光电二极管的有效直径为1.55 mm，其设计采用双扩散“穿透式”结构。该象限结构有一个共用雪崩结，通过结对面的光入射p+表面分割来实现象限分离。采用这种设计，象限之间不存在死角，因此瞄准线上没有响应损失。C30927EH-02为在900 nm波长处使用进行了优化，在指定波长约50 nm的范围内工作时可提供高响应度和出色的性能。
零件号
C30927EH-03
C30927EH-03 - 硅APD四象限探测器 - 1.5mm - 800 nm
C30927EH-03四象限硅雪崩光电二极管的有效直径为1.55 mm，其设计采用双扩散“穿透式”结构。该象限结构有一个共用雪崩结，通过结对面的光入射p+表面分割来实现象限分离。采用这种设计，象限之间不存在死角，因此瞄准线上没有响应损失。C30927EH-03为在800 nm波长处使用进行了优化，在指定波长约50 nm的范围内工作时可提供高响应度和出色的性能。