Die C30927 Serie sind Quadranten-Silizium-Avalanche-Photodioden, die in einer Vielzahl von Nachführungs- und Ausrichtungsanwendungen nützlich sind.
TEIL/ C30927EH-01

C30927EH-01 - Si APD-Quadrant - 1,5 mm - 1060 nm

Die Quadranten Silizium Avalanche-Photodiode C30927EH-01, mit einem aktiven Durchmesser von 1,55 mm, ist mit einer doppelt diffundierten „Reach-Through“-Struktur ausgelegt.

Die Quadranten der C30927EH-01, deren Trennung durch die Segmentierung der Lichteintrittsfläche erreicht wird, besitzen einen gemeinsamen Verstärkungsbereich. Bei dieser Konstruktion gibt es keinen Empfindlichkeitsverlust durch insensitive Bereiche zwischen den Elementen.

Die C30927EH-01 ist für den Betrieb bei 1064 nm optimiert und bietet eine hohe Empfindlichkeit und ausgezeichnete Leistung, wenn sie innerhalb von etwa 50 nm der spezifizierten Wellenlänge betrieben wird.

Wichtige Eigenschaften und Vorteile:

  • Blickwinkel größer als 90º
  • Hohe Quantenausbeute optimiert für die YAG-Wellenlänge
  • Schnelle Ansprechzeit
  • Große aktive Fläche: 1,77 mm2
  • Flaches, hermetisches TO-8 Gehäuse

Durchbruchsspannungsbereich (V): 350 bis 485
Typische Durchbruchspannung (V): 425
Typische Verstärkung (M): 100
Typischer Temperaturkoeffizient für konstante Verstärkung (V/℃): 2,4
Minimale Empfindlichkeit bei 1060 nm (A/W): 12
Typische Empfindlichkeit bei 1060 nm (A/W): 15
Typischer Gesamt-Dunkelstrom (nA): 100
Maximaler Gesamt-Dunkelstrom (nA): 200
Typischer Rauschstrom pro Element (pA/√Hz): 1,0
Maximaler Rauschstrom pro Element (pA/√Hz): 1,5
Typische Gesamtkapazität aller Quadranten (pF): 3
Maximale Gesamtkapazität aller Quadranten (pF): 5
Maximaler Reihenwiderstand (Ω): 15
Typische Anstiegs- und Abfallzeit (ns): 3

Lagertemperatur (℃): -60 bis 120
Betriebstemperatur (℃): -40 bis 60

Durchbruchsspannungsbereich (V): 350 bis 485
Typische Durchbruchspannung (V): 425
Typische Verstärkung (M): 100
Typischer Temperaturkoeffizient für konstante Verstärkung (V/℃): 2,4
Minimale Empfindlichkeit bei 1060 nm (A/W): 12
Typische Empfindlichkeit bei 1060 nm (A/W): 15
Typischer Gesamt-Dunkelstrom (nA): 100
Maximaler Gesamt-Dunkelstrom (nA): 200
Typischer Rauschstrom pro Element (pA/√Hz): 1,0
Maximaler Rauschstrom pro Element (pA/√Hz): 1,5
Typische Gesamtkapazität aller Quadranten (pF): 3
Maximale Gesamtkapazität aller Quadranten (pF): 5
Maximaler Reihenwiderstand (Ω): 15
Typische Anstiegs- und Abfallzeit (ns): 3

Lagertemperatur (℃): -60 bis 120
Betriebstemperatur (℃): -40 bis 60

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