PIÈCE/ C30659-1060-3AH
C30659-1060-3AH – Récepteur Si APD, 3 mm, TO-8, 50 MHz
La série C30659 comprend une photodiode à avalanche au silicium (Si) ou InGaAs (APD) avec un préamplificateur hybride dans le même boîtier TO-8 hermétiquement fermé pour permettre un fonctionnement à très faible bruit. Notre dispositif C30659-1060-3AH est doté d'une Si APD C30956EH, optimisée à 1060 nm avec un diamètre actif de 3 mm.
La série C30659 comporte un inverseur avec un émetteur-suiveur utilisé comme étape tampon de sortie.
Les Si APD utilisées dans ces appareils sont les mêmes que celles utilisées dans les produits Excelitas C30817EH, C30902EH, C30954EH et C30956EH, tandis que les InGaAs APD sont utilisées dans les produits C30645EH et C30662EH. Ces détecteurs offrent une très bonne réponse entre 830 et 1550 nm et des temps de montée et de descente très rapides à toutes les longueurs d'onde. La section de préamplificateur du module utilise une partie frontale GaAs FET à très faible bruit conçue pour fonctionner à une transimpédance plus élevée que notre série standard C30950.
- Largeur de bande du système : 50 MHz
- Puissance équivalente au bruit (NEP) très faible :
55 fW/√Hz à 900 nm 90 fW/√Hz à 1064 nm - Intervalle de réponse spectrale : De 400 à 1100 nm, optimisée à 1060 nm
- Consommation d'énergie type : 150 mW
- ±Tensions de fonctionnement de l'amplificateur : 5 V
- 50 Ω Capacité de charge CA (Couplé en CA)
- Boîtier TO-8 hermétiquement scellé
- Haute fiabilité
- Largeur de bande du système : 50 MHz
- Puissance équivalente au bruit (NEP) très faible :
55 fW/√Hz à 900 nm 90 fW/√Hz à 1064 nm - Intervalle de réponse spectrale : De 400 à 1100 nm, optimisée à 1060 nm
- Consommation d'énergie type : 150 mW
- ±Tensions de fonctionnement de l'amplificateur : 5 V
- 50 Ω Capacité de charge CA (Couplé en CA)
- Boîtier TO-8 hermétiquement scellé
- Haute fiabilité