Récepteur APD au silicium C30659-900-R5BH Excelitas
PIÈCE/ C30659-1060-R8BH

C30659-1060-R8BH – Récepteur Si APD, 0,8 mm, TO-8, 200 MHz

Les récepteurs APD optiques hybrides de la série C30659 comprennent une photodiode à avalanche (APD) au silicium (Si) ou InGaAs avec un préamplificateur hybride dans le même boîtier TO-8 hermétiquement scellé pour un fonctionnement à très faible bruit. Notre dispositif C30659-1060-R8BH comporte une Si APD C30954EH, optimisée à 1060 nm avec un diamètre actif de 0,8 mm.

La série C30659 Excelitas comporte un amplificateur inverseur avec un émetteur-suiveur utilisé comme étape tampon de sortie.

Les Si APD utilisées dans ces appareils sont les mêmes que celles utilisées dans les produits Excelitas C30817EH, C30902EH, C30954EH et C30956EH, tandis que les InGaAs APD sont utilisées dans les produits C30645EH et C30662EH. Ces détecteurs offrent une très bonne réponse entre 830 et 1550 nm et des temps de montée et de descente très rapides à toutes les longueurs d'onde. La section de préamplificateur du module utilise une partie frontale GaAs FET à très faible bruit conçue pour fonctionner à une transimpédance plus élevée que notre série standard C30950.

  • Largeur de bande du système : 200 MHz
  • Puissance équivalente au bruit (NEP) très faible 55 fW/√Hz à 900 nm100 fW/√Hz à 1064 nm
  • Intervalle de réponse spectrale : De 400 à 1100 nm, optimisée à 1060 nm
  • Consommation d'énergie type : 150 mW
  • ±Tensions de fonctionnement de l'amplificateur : 5 V
  • 50 Ω Capacité de charge CA (Couplé en CA)
  • Boîtier TO-8 hermétiquement scellé
  • Haute fiabilité
  • Largeur de bande du système : 200 MHz
  • Puissance équivalente au bruit (NEP) très faible 55 fW/√Hz à 900 nm100 fW/√Hz à 1064 nm
  • Intervalle de réponse spectrale : De 400 à 1100 nm, optimisée à 1060 nm
  • Consommation d'énergie type : 150 mW
  • ±Tensions de fonctionnement de l'amplificateur : 5 V
  • 50 Ω Capacité de charge CA (Couplé en CA)
  • Boîtier TO-8 hermétiquement scellé
  • Haute fiabilité
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