PIÈCE/ C30659-1550-R2AH
C30659-1550-R2AH – Récepteur InGaAs APD, 200 um, TO-8, 50 MHz
La série C30659 comprend une photodiode à avalanche au silicium (Si) ou InGaAs (APD) avec un préamplificateur hybride dans le même boîtier TO-8 hermétiquement scellé pour permettre un fonctionnement à très faible bruit. Notre dispositif C30659-1550-R2AH comporte une InGaAs APD C30662EH, optimisée à 1550 nm.
La série C30659 comporte un inverseur avec un émetteur-suiveur utilisé comme étape tampon de sortie.
Les Si APD utilisées dans ces appareils sont les mêmes que celles utilisées dans les produits Excelitas C30817EH, C30902EH, C30954EH et C30956EH, tandis que les InGaAs APD sont utilisées dans les produits C30645EH et C30662EH. Ces détecteurs offrent une très bonne réponse entre 830 et 1550 nm et des temps de montée et de descente très rapides à toutes les longueurs d'onde. La section de préamplificateur du module utilise une partie frontale GaAs FET à très faible bruit conçue pour fonctionner à une transimpédance plus élevée que notre série standard C30950.
- Largeur de bande du système : 50 MHz
- Puissance équivalente au bruit (NEP) très faible
150 fW/√Hz à 1300 nm 130 fW/√Hz à 1550 nm - Intervalle de réponse spectrale : Pointe à 1550 nm
- Consommation d'énergie type : 150 mW
- ±Tensions de fonctionnement de l'amplificateur : 5 V
- 50 Ω Capacité de charge CA (Couplé en CA)
- Boîtier TO-8 hermétiquement scellé
- Haute fiabilité
- Largeur de bande du système : 50 MHz
- Puissance équivalente au bruit (NEP) très faible
150 fW/√Hz à 1300 nm 130 fW/√Hz à 1550 nm - Intervalle de réponse spectrale : Pointe à 1550 nm
- Consommation d'énergie type : 150 mW
- ±Tensions de fonctionnement de l'amplificateur : 5 V
- 50 Ω Capacité de charge CA (Couplé en CA)
- Boîtier TO-8 hermétiquement scellé
- Haute fiabilité