PIÈCE/ C30683-900-R5DH, C30683-1550-R08DH, C30683-1550-R2BH
C30683 - Modules préamplificateurs APD avec TIA haute vitesse, TO-8
La série C30683 combine les photodiodes à avalanche (APD) d’Excelitas avec un amplificateur transimpédance (TIA) haute vitesse dans un boîtier TO-8 hermétiquement scellé pour la détection en très faible luminosité. Les modules offrent une bande passante allant jusqu’à 450 MHz, ce qui les rend idéaux pour des applications exigeantes.
La série C30683 de modules préamplificateurs APD haute performance d’Excelitas offre une large bande passante, un faible bruit et une grande responsivité pour une détection précise en très faible luminosité. Ces caractéristiques rendent la série particulièrement adaptée à des applications exigeantes comme le LiDAR, où de plus longues portées et une résolution plus élevée sont essentielles.
Ce produit comprend une thermistance intégrée pour surveiller la température de l’APD et compenser l’alimentation haute tension, maintenant ainsi un gain constant.
Les modules préamplificateurs APD C30683 sont offerts avec des APD en silicium et en InGaAs.
| Paramètre | C30683-900-R5DH | C30683-1550-R08DH | C30683-1550-R2BH |
| APD | Silicium, C30737, 500 µm | InGaAs, C30645, 80 µm | InGaAs, C30662, 200 µm |
| Sensibilité | 550 kV/W à 900 nm | 120 kV/W à 1550 nm | 120 kV/W à 1550 nm |
| NEP à la responsivité | 37 fW/√Hz | 250 fW/√Hz | 250 fW/√Hz |
| Bande passante du système | 420 MHz | 450 MHz | 300 MHz |
APD en silicium ou InGaAs
APD intégré avec le premier étage de gain dans un boîtier TO-8 hermétiquement scellé
Capacité de charge CA de 50 Ω (couplé en CA)
+Tension de fonctionnement de l’amplificateur : 3.3 V
Sortie différentielle
Détection en très faible luminosité
Communication optique en espace libre
Instruments d'analyse
LiDAR et télémétrie
Mesure de température distribuée (DTS)
Microscopie confocale
| Paramètre | C30683-900-R5DH | C30683-1550-R08DH | C30683-1550-R2BH |
| APD | Silicium, C30737, 500 µm | InGaAs, C30645, 80 µm | InGaAs, C30662, 200 µm |
| Sensibilité | 550 kV/W à 900 nm | 120 kV/W à 1550 nm | 120 kV/W à 1550 nm |
| NEP à la responsivité | 37 fW/√Hz | 250 fW/√Hz | 250 fW/√Hz |
| Bande passante du système | 420 MHz | 450 MHz | 300 MHz |
APD en silicium ou InGaAs
APD intégré avec le premier étage de gain dans un boîtier TO-8 hermétiquement scellé
Capacité de charge CA de 50 Ω (couplé en CA)
+Tension de fonctionnement de l’amplificateur : 3.3 V
Sortie différentielle
Détection en très faible luminosité
Communication optique en espace libre
Instruments d'analyse
LiDAR et télémétrie
Mesure de température distribuée (DTS)
Microscopie confocale