PIÈCE/ C30724EH
C30724EH – PDA Si, 500 um, TO
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30724EH se caractérise par une sensibilité de pointe de 920 nm et un faible coefficient de température dans un boîtier TO en métal.
Les photodiodes à avalanche (PDA) de la série C30724 offrent une grande sensibilité de photodétection dans la gamme de longueur d'onde de 800 à 950 nm et des temps de montée et de descente d'environ 5 ns sans « queue » dans la caractéristique de descente. Bien adaptée aux applications de télémétrie laser à grand volume à 905 nm, cette série d'APD peut fonctionner à une tension fixe sans qu'il soit nécessaire de compenser la température. En particulier, la C30724EH est dans un boîtier TO-18 hermétique.
Caractéristiques principales :
- Si APD avec filtre 905 nm dans un boîtier métallique TO
- 5 ns de montée + temps de chute - pas de queue
- Fonctionne à faible amplification
- Aucune compensation de température n'est nécessaire
Principales applications :
- Télémétrie laser
- Lasermètre
- Pistolet radar
| Région active | 0,2 mm2 |
| Diamètre actif | 0,5 mm |
| Tension de claquage | 350 V |
| Capacitance | 1 pF |
| Courant d’obscurité | 20 nA |
| Gain | >12, 15, <18 |
| Courant de bruit | 0,1 pA/√Hz |
| Boîtier | TO-18 |
| Longueur d’onde de sensibilité maximale | 920 nm |
| Diamètre photosensible | 0,5 mm |
| Diamètre photosensible | 0,5 mm |
| Sensibilité | 8,5 A/W à 920 nm |
| Temps de montée/descente | 5 ns |
| Courant d'obscurité totale (volume + surface) | 20 nA |
| Tension de fonctionnement | 150-200 V |
| Longueur d'onde | 400 à 1100 nm |
| Région active | 0,2 mm2 |
| Diamètre actif | 0,5 mm |
| Tension de claquage | 350 V |
| Capacitance | 1 pF |
| Courant d’obscurité | 20 nA |
| Gain | >12, 15, <18 |
| Courant de bruit | 0,1 pA/√Hz |
| Boîtier | TO-18 |
| Longueur d’onde de sensibilité maximale | 920 nm |
| Diamètre photosensible | 0,5 mm |
| Diamètre photosensible | 0,5 mm |
| Sensibilité | 8,5 A/W à 920 nm |
| Temps de montée/descente | 5 ns |
| Courant d'obscurité totale (volume + surface) | 20 nA |
| Tension de fonctionnement | 150-200 V |
| Longueur d'onde | 400 à 1100 nm |