C30724EH – PDA Si, 500 um, TO
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30724EH se caractérise par une sensibilité de pointe de 920 nm et un faible coefficient de température dans un boîtier TO en métal.
Les photodiodes à avalanche (PDA) de la série C30724 offrent une grande sensibilité de photodétection dans la gamme de longueur d'onde de 800 à 950 nm et des temps de montée et de descente d'environ 5 ns sans « queue » dans la caractéristique de descente. Bien adaptée aux applications de télémétrie laser à grand volume à 905 nm, cette série d'APD peut fonctionner à une tension fixe sans qu'il soit nécessaire de compenser la température. En particulier, la C30724EH est dans un boîtier TO-18 hermétique.
Caractéristiques principales :
- Si APD avec filtre 905 nm dans un boîtier métallique TO
- 5 ns de montée + temps de chute - pas de queue
- Fonctionne à faible amplification
- Aucune compensation de température n'est nécessaire
Principales applications :
- Télémétrie laser
- Lasermètre
- Pistolet radar
Active Area: 0.2mm2
Active Diameter: 0.5 mm
Breakdown Voltage: 350 V
Capacitance: 1 pF
Dark Current: 20 nA
Gain: >12, 15, <18
Noise Current: 0.1 pA/√Hz
Package: TO-18
Peak Sensitivity Wavelength: 920 nm
Photo Sensitive Diameter: 0.5 mm
Photosensitive Diameter: 0.5 mm
Responsivity: 8.5 A/W at 920 nm
Rise/Fall Time: 5 ns
Total Dark Current (Bulk + Surface): 20 nA
Vop Range: 150-200 V
Wavelength: 400-1100 nm
Active Area: 0.2mm2
Active Diameter: 0.5 mm
Breakdown Voltage: 350 V
Capacitance: 1 pF
Dark Current: 20 nA
Gain: >12, 15, <18
Noise Current: 0.1 pA/√Hz
Package: TO-18
Peak Sensitivity Wavelength: 920 nm
Photo Sensitive Diameter: 0.5 mm
Photosensitive Diameter: 0.5 mm
Responsivity: 8.5 A/W at 920 nm
Rise/Fall Time: 5 ns
Total Dark Current (Bulk + Surface): 20 nA
Vop Range: 150-200 V
Wavelength: 400-1100 nm