C30724PH – PDA Si, 500 um, plastique
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30724PH se caractérise par une sensibilité de pointe de 920 nm et avec un faible coefficient de température dans un boîtier TO en plastique.
La Si APD C30724PH est optimisée pour la plage de longueur d'onde de 800 à 950 nm. Particulièrement adaptée à la télémétrie laser de 905 nm à grand volume, cette Si APD peut fonctionner à une tension fixe sans compensation de température.
Caractéristiques principales :
- Si APD avec une longueur d'onde de sensibilité maximale de 920 nm
- Dispositif à haut volume
- Boîtier TO en plastique
- 5 ns de montée + temps de chute – pas de queue.
- Fonctionne à faible amplification
- Aucune compensation de température n'est nécessaire
Utilisations :
- Télémétrie laser
- Lasermètre
- Pistolet radar
Active Diameter: 0.5 mm
Breakdown Voltage: 350 V
Capacitance: 1 pF
Dark Current: 20, <40 nA
Gain: >12, 15, <18
Noise Current: 0.1, <0.25 pA/√Hz
Package: T1 ¾ plastic (TO-18)
Peak Sensitivity Wavelength: 920 nm
Responsivity: 8.5 A/W at 920 nm
Rise/Fall Time: 5 ns
Total Dark Current (Bulk + Surface): 20, <40 nA
Vop Range: 120-200 V
Wavelength: 400-1100 nm
Active Diameter: 0.5 mm
Breakdown Voltage: 350 V
Capacitance: 1 pF
Dark Current: 20, <40 nA
Gain: >12, 15, <18
Noise Current: 0.1, <0.25 pA/√Hz
Package: T1 ¾ plastic (TO-18)
Peak Sensitivity Wavelength: 920 nm
Responsivity: 8.5 A/W at 920 nm
Rise/Fall Time: 5 ns
Total Dark Current (Bulk + Surface): 20, <40 nA
Vop Range: 120-200 V
Wavelength: 400-1100 nm