Si APD Excelitas C30724EH
PIÈCE/ C30724PH

C30724PH – PDA Si, 500 um, plastique

La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30724PH se caractérise par une sensibilité de pointe de 920 nm et avec un faible coefficient de température dans un boîtier TO en plastique.

La Si APD C30724PH est optimisée pour la plage de longueur d'onde de 800 à 950 nm. Particulièrement adaptée à la télémétrie laser de 905 nm à grand volume, cette Si APD peut fonctionner à une tension fixe sans compensation de température.

Caractéristiques principales :

  • Si APD avec une longueur d'onde de sensibilité maximale de 920 nm
  • Dispositif à haut volume
  • Boîtier TO en plastique
  • 5 ns de montée + temps de chute – pas de queue.
  • Fonctionne à faible amplification
  • Aucune compensation de température n'est nécessaire

Utilisations :

  • Télémétrie laser
  • Lasermètre
  • Pistolet radar

Diamètre actif 0,5 mm
Tension de claquage 350 V
Capacitance 1 pF
Courant d’obscurité 20, <40 nA
Gain >12, 15, <18
Courant de bruit 0,1, <0,25 pA/√Hz
Boîtier T1 ¾ en plastique (TO-18)
Longueur d’onde de sensibilité maximale 920 nm
Sensibilité 8,5 A/W à 920 nm
Temps de montée/descente 5 ns
Courant d'obscurité totale (volume + surface) 20, <40 nA
Tension de fonctionnement 120-200 V
Longueur d'onde 400 à 1100 nm
Diamètre actif 0,5 mm
Tension de claquage 350 V
Capacitance 1 pF
Courant d’obscurité 20, <40 nA
Gain >12, 15, <18
Courant de bruit 0,1, <0,25 pA/√Hz
Boîtier T1 ¾ en plastique (TO-18)
Longueur d’onde de sensibilité maximale 920 nm
Sensibilité 8,5 A/W à 920 nm
Temps de montée/descente 5 ns
Courant d'obscurité totale (volume + surface) 20, <40 nA
Tension de fonctionnement 120-200 V
Longueur d'onde 400 à 1100 nm
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