PIÈCE/ C30737CH-300-70
C30737CH-300-70 – PDA Si, 300 um, LLC à détection latérale
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737CH-300-70 se caractérise par un diamètre actif de 300 µm et une réponse améliorée à 800 nm dans un support laminé sans plomb (LCC).
Caractéristiques principales :
- Forte réactivité entre 500 et 1000 nm
- Faible bruit et temps de montée extrêmement rapide à toutes les longueurs d'onde avec une réponse en fréquence supérieure à 700 MHz
- Diamètre actif de 300 μm optimisé pour une réponse de 800 nm
- Boîtier laminé sans plomb avec option « CH »
Utilisations :
- Télémétrie laser
- Compteurs de distance
- Analyse de zone et de sécurité
- Applications nécessitant un détecteur peu coûteux et très performant
| Diamètre actif | 300 μm |
| Longueur d’onde de sensibilité maximale | 800 nm |
| Tension de claquage Vbd | 110-160 |
| Gain | 100 @ 800 nm |
| Sensibilité | 35A/W à 635 nm |
| Courant d’obscurité | 1 nA |
| Courant de bruit | 0,2 pA/√Hz |
| Capacitance | 0,7 pF |
| Fréquence de coupure | 700 MHz |
| Température d'entreposage | -20 °C à +70 °C |
| Température de fonctionnement | -10 °C à +50 °C |
| Boîtier | 2 x 4 mm, FR4 à époxy laminé sans plomb |
| Diamètre actif | 300 μm |
| Longueur d’onde de sensibilité maximale | 800 nm |
| Tension de claquage Vbd | 110-160 |
| Gain | 100 @ 800 nm |
| Sensibilité | 35A/W à 635 nm |
| Courant d’obscurité | 1 nA |
| Courant de bruit | 0,2 pA/√Hz |
| Capacitance | 0,7 pF |
| Fréquence de coupure | 700 MHz |
| Température d'entreposage | -20 °C à +70 °C |
| Température de fonctionnement | -10 °C à +50 °C |
| Boîtier | 2 x 4 mm, FR4 à époxy laminé sans plomb |