C30737CH-300-70 – PDA Si, 300 um, LLC à détection latérale
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737CH-300-70 se caractérise par un diamètre actif de 300 µm et une réponse améliorée à 800 nm dans un support laminé sans plomb (LCC).
Caractéristiques principales :
- Forte réactivité entre 500 et 1000 nm
- Faible bruit et temps de montée extrêmement rapide à toutes les longueurs d'onde avec une réponse en fréquence supérieure à 700 MHz
- Diamètre actif de 300 μm optimisé pour une réponse de 800 nm
- Boîtier laminé sans plomb avec option « CH »
Utilisations :
- Télémétrie laser
- Compteurs de distance
- Analyse de zone et de sécurité
- Applications nécessitant un détecteur peu coûteux et très performant
Active Diameter: 300μm
Peak Sensitivity Wavelength: 800 nm
Breakdown Voltage Vbd: 110-160
Gain: 100 @ 800 nm
Responsivity: 35A/W at 635 nm
Dark Current: 1 nA
Noise Current: 0.2 pA/√Hz
Capacitance: 0.7 pF
Cut-off frequency: 700 MHz
Storage Temp: -20°C to +70°C
Operating Temp: -10°C to +50°C
Package: 2x4mm FR4 Epoxy side looking Leadless Laminated Carrier
Active Diameter: 300μm
Peak Sensitivity Wavelength: 800 nm
Breakdown Voltage Vbd: 110-160
Gain: 100 @ 800 nm
Responsivity: 35A/W at 635 nm
Dark Current: 1 nA
Noise Current: 0.2 pA/√Hz
Capacitance: 0.7 pF
Cut-off frequency: 700 MHz
Storage Temp: -20°C to +70°C
Operating Temp: -10°C to +50°C
Package: 2x4mm FR4 Epoxy side looking Leadless Laminated Carrier