C30737LH-230-81N – Si APD, 230 um, LCC, 800 nm amélioré, Filtre 635 nm
La photodiode C30737LH-230-81N Silicon Avalanche Photodiode (SI APD) offre une réponse améliorée de 800 nm avec un diamètre actif de 230 µm et une bande passante optique de 635 nm dans un support en céramique sans plomb (LCC).
Caractéristiques principales :
- Haute sensibilité filtrée à 635 nm
- Faible bruit et temps de montée extrêmement rapide à toutes les longueurs d'onde avec une réponse en fréquence supérieure à 1,5 GHz
- Diamètre actif de 230 μm optimisé pour une réponse de 800 nm
- Filtre passe-bande optique à 635 nm
- Option de support en céramique sans plomb « LH »
Utilisations :
- LiDAR
- Télémétrie laser
- Analyse de sécurité
- Applications nécessitant un détecteur peu coûteux et très performant
Active Diameter: 230μm
Peak Sensitivity Wavelength: 635 nm
Breakdown Voltage Vbd: 120-210 (binning available)
Temperature Coefficient of Vop for Constant M: 0.5 V/°C
Gain: 100 @ 635 nm
Responsivity: 35 A/W at 800 nm
Dark Current Id: 0.05 <0.5 nA
Noise Current: 0.1 pA/√Hz
Capacitance: 1 pF
Rise/Fall Time: 0.2 ns R load = 50Ω
Cut-off Frequency: 1.5 GHz
Storage Temp: -50°C to +100°C
Operating Temp: -40°C to +85°C
Package: 3x3mm glass window, leadless ceramic carrier (LCC)
Window: 635 nm filter
Active Diameter: 230μm
Peak Sensitivity Wavelength: 635 nm
Breakdown Voltage Vbd: 120-210 (binning available)
Temperature Coefficient of Vop for Constant M: 0.5 V/°C
Gain: 100 @ 635 nm
Responsivity: 35 A/W at 800 nm
Dark Current Id: 0.05 <0.5 nA
Noise Current: 0.1 pA/√Hz
Capacitance: 1 pF
Rise/Fall Time: 0.2 ns R load = 50Ω
Cut-off Frequency: 1.5 GHz
Storage Temp: -50°C to +100°C
Operating Temp: -40°C to +85°C
Package: 3x3mm glass window, leadless ceramic carrier (LCC)
Window: 635 nm filter