APD au silicium C39737LH dans un boîtier à support en céramique sans plomb Excelitas
PIÈCE/ C30737LH-230-81N

C30737LH-230-81N – Si APD, 230 um, LCC, 800 nm amélioré, Filtre 635 nm

La photodiode C30737LH-230-81N Silicon Avalanche Photodiode (SI APD) offre une réponse améliorée de 800 nm avec un diamètre actif de 230 µm et une bande passante optique de 635 nm dans un support en céramique sans plomb (LCC).

Caractéristiques principales :

  • Haute sensibilité filtrée à 635 nm
  • Faible bruit et temps de montée extrêmement rapide à toutes les longueurs d'onde avec une réponse en fréquence supérieure à 1,5 GHz
  • Diamètre actif de 230 μm optimisé pour une réponse de 800 nm
  • Filtre passe-bande optique à 635 nm
  • Option de support en céramique sans plomb « LH »

Utilisations :

  • LiDAR
  • Télémétrie laser
  • Analyse de sécurité
  • Applications nécessitant un détecteur peu coûteux et très performant

Diamètre actif : 230 μm

Longueur d'onde de sensibilité maximale : 635 nm

Tension de claquage (Vcl) : De 120 à 210 (regroupement de données possible)

Coefficient de température de tension de fonctionnement pour gain (M) constant : 0,5 V/°C

Gain : De 100 à 635 nm

Sensibilité de photodétection : 35 A/W à 800 nm

Courant d’obscurité : 0,05 < 0.5 nA

Courant de bruit : 0,1 pA/√Hz

Capacitance : 1 pF

Temps de montée/de descente : 0,2 ns, charge de résistance = 50 Ω

Fréquence de coupure : 1,5 GHz

Température d'entreposage : de -50 °C à +100 °C

Température de fonctionnement : De -40 °C à +85 °C

Boîtier : 3 x 3 mm, fenêtre en verre, céramique sans plomb (LCC)

Fenêtre : Filtre 635 nm

Diamètre actif : 230 μm

Longueur d'onde de sensibilité maximale : 635 nm

Tension de claquage (Vcl) : De 120 à 210 (regroupement de données possible)

Coefficient de température de tension de fonctionnement pour gain (M) constant : 0,5 V/°C

Gain : De 100 à 635 nm

Sensibilité de photodétection : 35 A/W à 800 nm

Courant d’obscurité : 0,05 < 0.5 nA

Courant de bruit : 0,1 pA/√Hz

Capacitance : 1 pF

Temps de montée/de descente : 0,2 ns, charge de résistance = 50 Ω

Fréquence de coupure : 1,5 GHz

Température d'entreposage : de -50 °C à +100 °C

Température de fonctionnement : De -40 °C à +85 °C

Boîtier : 3 x 3 mm, fenêtre en verre, céramique sans plomb (LCC)

Fenêtre : Filtre 635 nm

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