APD au silicium C39737LH dans un boîtier à support en céramique sans plomb Excelitas
PIÈCE/ C30737LH-230-83N

C30737LH-230-83N – Si APD, 230 um, LCC, 800 nm amélioré, Filtre 650 nm

La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737LH-230-83N présente un diamètre actif de 230 µm avec une réponse améliorée à 800 nm et une bande passante optique de 650 nm dans un support en céramique sans plomb (LCC).

Caractéristiques principales :

  • Haute sensibilité filtrée à 650 nm
  • Faible bruit et temps de montée extrêmement rapide à toutes les longueurs d'onde avec une réponse en fréquence supérieure à 1,5 GHz
  • Diamètre actif de 230 μm optimisé pour 800 nm
  • Filtre passe-bande optique à 650 nm
  • Option de support en céramique sans plomb « LH »

Utilisations :

  • LiDAR
  • Télémétrie laser
  • Analyse de sécurité
  • Applications nécessitant un détecteur peu coûteux et très performant

Diamètre actif : 230 μm

Longueur d'onde de sensibilité maximale : 650 nm

Tension de claquage (Vcl) : De 120 à 210 (regroupement de données possible)

Coefficient de température de tension de fonctionnement pour gain (M) constant : 0,5 V/°C

Gain : De 100 à 650 nm

Sensibilité de photodétection : 35 A/W à 650 nm

Courant d’obscurité : 0,05 < 0.5 nA

Courant de bruit : 0,1 pA/√Hz

Capacitance : 1 pF

Temps de montée/de descente : 0,2 ns, charge de résistance = 50 Ω

Fréquence de coupure : 1 GHz

Température d'entreposage : de -50 °C à +100 °C

Température de fonctionnement : De -40 °C à +85 °C

Boîtier : 3 x 3 mm, fenêtre en verre, céramique sans plomb (LCC)

Fenêtre : Filtre 650 nm

Diamètre actif : 230 μm

Longueur d'onde de sensibilité maximale : 650 nm

Tension de claquage (Vcl) : De 120 à 210 (regroupement de données possible)

Coefficient de température de tension de fonctionnement pour gain (M) constant : 0,5 V/°C

Gain : De 100 à 650 nm

Sensibilité de photodétection : 35 A/W à 650 nm

Courant d’obscurité : 0,05 < 0.5 nA

Courant de bruit : 0,1 pA/√Hz

Capacitance : 1 pF

Temps de montée/de descente : 0,2 ns, charge de résistance = 50 Ω

Fréquence de coupure : 1 GHz

Température d'entreposage : de -50 °C à +100 °C

Température de fonctionnement : De -40 °C à +85 °C

Boîtier : 3 x 3 mm, fenêtre en verre, céramique sans plomb (LCC)

Fenêtre : Filtre 650 nm

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