PIÈCE/ C30737LH-300-70N
C30737LH-300-70N – Si APD, 300 um, LCC
La photodiode au silicium C30737LH-300-70N Silicon Avalanche Photodiode (Si APD) offre un diamètre actif de 300 µm et une réponse améliorée à 800 nm dans un support en céramique sans plomb (LCC).
Caractéristiques principales :
- Forte réactivité entre 500 et 1000 nm
- Faible bruit et temps de montée extrêmement rapide à toutes les longueurs d'onde avec une réponse en fréquence supérieure à 700 MHz
- Diamètre actif de 300 μm et optimisé pour une réponse de 800 nm
- Option de support en céramique sans plomb « LH »
Utilisations :
- Télémétrie laser
- Compteurs de distance
- Analyse de zone et de sécurité
- Applications nécessitant un détecteur peu coûteux et très performant
- Diamètre actif : 300 μm
- Longueur d'onde de sensibilité maximale : 800 nm
- Tension de claquage (Vcl) : De 110 à 165
- Coefficient de température de tension de fonctionnement pour gain (M) constant : 0,6 V/°C
- Gain : De 100 à 800 nm
- Sensibilité de photodétection : 55 A/W à 800 nm
- Courant d'obscurité : 1 nA
- Courant de bruit : 0,2 pA/√Hz
- Capacitance : 0,7 pF
- Fréquence de coupure : 700 MHz
- Température d'entreposage : de -40 °C à +100 °C
- Température de fonctionnement : De -20 °C à +60 °C
- Boîtier : 3 x 3 mm, fenêtre en verre, céramique sans plomb (LCC)
- Fenêtre : Standard
- Diamètre actif : 300 μm
- Longueur d'onde de sensibilité maximale : 800 nm
- Tension de claquage (Vcl) : De 110 à 165
- Coefficient de température de tension de fonctionnement pour gain (M) constant : 0,6 V/°C
- Gain : De 100 à 800 nm
- Sensibilité de photodétection : 55 A/W à 800 nm
- Courant d'obscurité : 1 nA
- Courant de bruit : 0,2 pA/√Hz
- Capacitance : 0,7 pF
- Fréquence de coupure : 700 MHz
- Température d'entreposage : de -40 °C à +100 °C
- Température de fonctionnement : De -20 °C à +60 °C
- Boîtier : 3 x 3 mm, fenêtre en verre, céramique sans plomb (LCC)
- Fenêtre : Standard