C30737LH-300-70N – Si APD, 300 um, LCC
La photodiode au silicium C30737LH-300-70N Silicon Avalanche Photodiode (Si APD) offre un diamètre actif de 300 µm et une réponse améliorée à 800 nm dans un support en céramique sans plomb (LCC).
Caractéristiques principales :
- Forte réactivité entre 500 et 1000 nm
- Faible bruit et temps de montée extrêmement rapide à toutes les longueurs d'onde avec une réponse en fréquence supérieure à 700 MHz
- Diamètre actif de 300 μm et optimisé pour une réponse de 800 nm
- Option de support en céramique sans plomb « LH »
Utilisations :
- Télémétrie laser
- Compteurs de distance
- Analyse de zone et de sécurité
- Applications nécessitant un détecteur peu coûteux et très performant
Active Diameter: 300μm
Peak Sensitivity Wavelength: 800 nm
Breakdown Voltage Vbd: 110-165
Temperature Coefficient of Vop for constant M: 0.6V/°C
Gain: 100 @ 800 nm
Responsivity: 55A/W at 800 nm
Dark Current: 1 nA
Noise Current: 0.2 pA/√Hz
Capacitance: 0.7 pF
Cut-off frequency: 700 MHz
Storage Temp: -40°C to +100°C
Operating Temp: -20°C to +60°C
Package: 3x3mm glass window Leadless Ceramic Carrier (LCC)
Window: standard window
Active Diameter: 300μm
Peak Sensitivity Wavelength: 800 nm
Breakdown Voltage Vbd: 110-165
Temperature Coefficient of Vop for constant M: 0.6V/°C
Gain: 100 @ 800 nm
Responsivity: 55A/W at 800 nm
Dark Current: 1 nA
Noise Current: 0.2 pA/√Hz
Capacitance: 0.7 pF
Cut-off frequency: 700 MHz
Storage Temp: -40°C to +100°C
Operating Temp: -20°C to +60°C
Package: 3x3mm glass window Leadless Ceramic Carrier (LCC)
Window: standard window