Photodiode à avalanche au silicium (Si APD) Excelitas C30737MH-230-80N
PIÈCE/ C30737MH-230-90N

C30737MH-230-90N – PDA Si, 230 um, LLC, 900 nm amélioré

La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737MH-230-90N présente un diamètre actif de 230 µm et une réponse améliorée à 900 nm dans un support laminé sans plomb (LCC).

Caractéristiques principales :

  • Forte réactivité entre 500 et 1000 nm
  • Faible bruit et temps de montée extrêmement rapide à toutes les longueurs d'onde avec une réponse en fréquence supérieure à 380 MHz
  • Diamètre actif de 230 μm optimisé pour une une sensibilité de pointe à 900 nm
  • Option de support laminé sans plomb « MH »

Utilisations :

  • LiDAR
  • Télémétrie laser
  • Analyse de sécurité
  • Applications nécessitant un détecteur peu coûteux et très performant

  • Diamètre actif : 230 μm
  • Longueur d'onde de sensibilité maximale : 900 nm
  • Tension de claquage (Vcl) : De 180 à 260 (regroupement de données possible)
  • Coefficient de température de tension de fonctionnement pour gain (M) constant : 1,3 V/°C
  • Gain : De 100 à 900 nm
  • Sensibilité de photodétection : 60 A/W à 900 nm
  • Courant d’obscurité : 0,05 < 0.5 nA
  • Courant de bruit : 0,1 pA/√Hz
  • Capacitance : 0,6 pF
  • Temps de montée/de descente : 0,9 ns, charge de résistance = 50 Ω
  • Fréquence de coupure : 380 MHz
  • Température d'entreposage : de -50 °C à +100 °C
  • Température de fonctionnement : De -40 °C à +85 °C
  • Boîtier : 2 x 1,75 mm à exposition sur le dessus, laminé sans plomb à époxy, FR4
  • Diamètre actif : 230 μm
  • Longueur d'onde de sensibilité maximale : 900 nm
  • Tension de claquage (Vcl) : De 180 à 260 (regroupement de données possible)
  • Coefficient de température de tension de fonctionnement pour gain (M) constant : 1,3 V/°C
  • Gain : De 100 à 900 nm
  • Sensibilité de photodétection : 60 A/W à 900 nm
  • Courant d’obscurité : 0,05 < 0.5 nA
  • Courant de bruit : 0,1 pA/√Hz
  • Capacitance : 0,6 pF
  • Temps de montée/de descente : 0,9 ns, charge de résistance = 50 Ω
  • Fréquence de coupure : 380 MHz
  • Température d'entreposage : de -50 °C à +100 °C
  • Température de fonctionnement : De -40 °C à +85 °C
  • Boîtier : 2 x 1,75 mm à exposition sur le dessus, laminé sans plomb à époxy, FR4
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