C30737MH-500-90N – PDA Si, 500 um, LLC, 900 nm amélioré
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737MH-500-90N présente un diamètre actif de 500 µm et une réponse améliorée à 900 nm dans un support laminé sans plomb (LCC).
Caractéristiques principales :
- Forte réactivité entre 500 et 1000 nm
- Faible bruit et temps de montée extrêmement rapide à toutes les longueurs d'onde avec une réponse en fréquence supérieure à 380 MHz
- Diamètre actif de 500 μm optimisé pour une une sensibilité de pointe à 900 nm
- Option de support laminé sans plomb « MH »
Utilisations :
- LiDAR
- Télémétrie laser
- Analyse de sécurité
- Applications nécessitant un détecteur peu coûteux et très performant
Active Diameter: 500μm
Peak Sensitivity Wavelength: 900 nm
Breakdown Voltage Vbd: 180-260 (binning available)
Temperature Coefficient of Vop for Constant M: 1.3 V/°C
Gain: 100 @900nm
Responsivity: 60 A/W at 800 nm
Dark Current Id: 0.1 <1 nA
Noise Current: 0.1 pA/√Hz
Capacitance: 1 pF
Rise/Fall Time: 0.9 ns R load = 50Ω
Cut-off Frequency: 380 MHz
Storage Temp: -50°C to +100°C
Operating Temp: -40°C to +85°C
Package: 2x1.75mm Top looking FR4 epoxy, leadless laminated carrier (LLC)
Active Diameter: 500μm
Peak Sensitivity Wavelength: 900 nm
Breakdown Voltage Vbd: 180-260 (binning available)
Temperature Coefficient of Vop for Constant M: 1.3 V/°C
Gain: 100 @900nm
Responsivity: 60 A/W at 800 nm
Dark Current Id: 0.1 <1 nA
Noise Current: 0.1 pA/√Hz
Capacitance: 1 pF
Rise/Fall Time: 0.9 ns R load = 50Ω
Cut-off Frequency: 380 MHz
Storage Temp: -50°C to +100°C
Operating Temp: -40°C to +85°C
Package: 2x1.75mm Top looking FR4 epoxy, leadless laminated carrier (LLC)