PIÈCE/ C30737MH-500-90N
C30737MH-500-90N – PDA Si, 500 um, LLC, 900 nm amélioré
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737MH-500-90N présente un diamètre actif de 500 µm et une réponse améliorée à 900 nm dans un support laminé sans plomb (LCC).
Caractéristiques principales :
- Forte réactivité entre 500 et 1000 nm
- Faible bruit et temps de montée extrêmement rapide à toutes les longueurs d'onde avec une réponse en fréquence supérieure à 380 MHz
- Diamètre actif de 500 μm optimisé pour une une sensibilité de pointe à 900 nm
- Option de support laminé sans plomb « MH »
Utilisations :
- LiDAR
- Télémétrie laser
- Analyse de sécurité
- Applications nécessitant un détecteur peu coûteux et très performant
| Diamètre actif | 500 μm |
| Longueur d’onde de sensibilité maximale | 900 nm |
| Tension de claquage Vbd | 180-260 regroupement de données possible) |
| Coefficient de température de Vop pour M constant | 1,3 V/°C |
| Gain | 100 @900nm |
| Sensibilité | 60 A/W à 800 nm |
| Courant d'obscurité | 0,1 <1 nA |
| Courant de bruit | 0,1 pA/√Hz |
| Capacitance | 1 pF |
| Temps de montée/descente | 0,9 ns, charge de résistance = 50 Ω |
| Fréquence de coupure | 380 MHz |
| Température d'entreposage | -50 °C à +100 °C |
| Température de fonctionnement | -40 °C à +85 °C |
| Boîtier | 2 x 1,75 mm à exposition sur le dessus, laminé sans plomb à époxy, FR4 (LLC) |
| Diamètre actif | 500 μm |
| Longueur d’onde de sensibilité maximale | 900 nm |
| Tension de claquage Vbd | 180-260 regroupement de données possible) |
| Coefficient de température de Vop pour M constant | 1,3 V/°C |
| Gain | 100 @900nm |
| Sensibilité | 60 A/W à 800 nm |
| Courant d'obscurité | 0,1 <1 nA |
| Courant de bruit | 0,1 pA/√Hz |
| Capacitance | 1 pF |
| Temps de montée/descente | 0,9 ns, charge de résistance = 50 Ω |
| Fréquence de coupure | 380 MHz |
| Température d'entreposage | -50 °C à +100 °C |
| Température de fonctionnement | -40 °C à +85 °C |
| Boîtier | 2 x 1,75 mm à exposition sur le dessus, laminé sans plomb à époxy, FR4 (LLC) |