PIÈCE/ C30737PH-230-80N
C30737PH-230-80N – PDA Si, 230 um, plastique, 800 nm amélioré
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737PH-230-80N présente un diamètre actif de 230 µm et une réponse améliorée à 800 nm dans un boîtier en plastique T 1¾ avec trou.
Caractéristiques principales :
- Forte réactivité entre 500 et 1000 nm
- Faible bruit et temps de montée extrêmement rapide à toutes les longueurs d'onde avec une réponse en fréquence supérieure à 1,5 GHz
- Diamètre actif de 230 μm et optimisé pour une sensibilité de pointe à 800 nm
- Option de boîtier en plastique T1¾ « PH »
Utilisations :
- LiDAR
- Télémétrie laser
- Analyse de sécurité
- Applications nécessitant un détecteur peu coûteux et très performant
| Diamètre actif | 230 μm |
| Longueur d’onde de sensibilité maximale | 800 nm |
| Tension de claquage Vbd | 120-210 regroupement de données possible) |
| Coefficient de température de Vop pour M constant | 0,5 V/°C |
| Gain | 100 @800nm |
| Sensibilité | 50 A/W à 800 nm |
| Courant d'obscurité | 0.05 <0.5 nA |
| Courant de bruit | 0,1 pA/√Hz |
| Capacitance | 1 pF |
| Temps de montée/descente | 0,2 ns, charge de résistance = 50 Ω |
| Fréquence de coupure | 1,5 GHz |
| Température d'entreposage | -50 °C à +100 °C |
| Température de fonctionnement | -40 °C à +85 °C |
| Boîtier | Plastique PH T1-3/4 avec trou |
| Diamètre actif | 230 μm |
| Longueur d’onde de sensibilité maximale | 800 nm |
| Tension de claquage Vbd | 120-210 regroupement de données possible) |
| Coefficient de température de Vop pour M constant | 0,5 V/°C |
| Gain | 100 @800nm |
| Sensibilité | 50 A/W à 800 nm |
| Courant d'obscurité | 0.05 <0.5 nA |
| Courant de bruit | 0,1 pA/√Hz |
| Capacitance | 1 pF |
| Temps de montée/descente | 0,2 ns, charge de résistance = 50 Ω |
| Fréquence de coupure | 1,5 GHz |
| Température d'entreposage | -50 °C à +100 °C |
| Température de fonctionnement | -40 °C à +85 °C |
| Boîtier | Plastique PH T1-3/4 avec trou |