PIÈCE/ C30737PH-500-80N
C30737PH-500-80N – PDA Si, 500 um, plastique, 800 nm amélioré
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737PH-500-80N présente un diamètre actif de 500 µm et une réponse améliorée à 800 nm dans un boîtier en plastique T1¾.
Caractéristiques principales :
- Forte réactivité entre 500 et 1000 nm
- Faible bruit et temps de montée extrêmement rapide à toutes les longueurs d'onde avec une réponse en fréquence supérieure à 1,3 GHz
- Diamètre actif de 500 μm optimisé pour une une sensibilité de pointe à 800 nm.
- Option de support en plastique T1 ¾ « PH »
Utilisations :
- LiDAR
- Télémétrie laser
- Analyse de sécurité
- Applications nécessitant un détecteur peu coûteux et très performant
- Diamètre actif : 500 μm
- Longueur d'onde de sensibilité maximale : 800 nm
- Tension de claquage (Vcl) : De 120 à 210 (regroupement de données possible)
- Coefficient de température de tension de fonctionnement pour gain (M) constant : 0,5 V/°C
- Gain : De 100 à 800 nm
- Sensibilité de photodétection : 50 A/W à 800 nm
- Courant d’obscurité : 0,1 < 1 nA
- Courant de bruit : 0,1 pA/√Hz
- Capacitance : 2 pF
- Temps de montée/de descente : 0,3 ns, charge de résistance = 50 Ω
- Fréquence de coupure : 1,3 GHz
- Température d'entreposage : de -50 °C à +100 °C
- Température de fonctionnement : De -40 °C à +85 °C
- Boîtier : Plastique T-1¾, avec trou
- Diamètre actif : 500 μm
- Longueur d'onde de sensibilité maximale : 800 nm
- Tension de claquage (Vcl) : De 120 à 210 (regroupement de données possible)
- Coefficient de température de tension de fonctionnement pour gain (M) constant : 0,5 V/°C
- Gain : De 100 à 800 nm
- Sensibilité de photodétection : 50 A/W à 800 nm
- Courant d’obscurité : 0,1 < 1 nA
- Courant de bruit : 0,1 pA/√Hz
- Capacitance : 2 pF
- Temps de montée/de descente : 0,3 ns, charge de résistance = 50 Ω
- Fréquence de coupure : 1,3 GHz
- Température d'entreposage : de -50 °C à +100 °C
- Température de fonctionnement : De -40 °C à +85 °C
- Boîtier : Plastique T-1¾, avec trou