C30737PH-500-80N – PDA Si, 500 um, plastique, 800 nm amélioré
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737PH-500-80N présente un diamètre actif de 500 µm et une réponse améliorée à 800 nm dans un boîtier en plastique T1¾.
Caractéristiques principales :
- Forte réactivité entre 500 et 1000 nm
- Faible bruit et temps de montée extrêmement rapide à toutes les longueurs d'onde avec une réponse en fréquence supérieure à 1,3 GHz
- Diamètre actif de 500 μm optimisé pour une une sensibilité de pointe à 800 nm.
- Option de support en plastique T1 ¾ « PH »
Utilisations :
- LiDAR
- Télémétrie laser
- Analyse de sécurité
- Applications nécessitant un détecteur peu coûteux et très performant
Active Diameter: 500μm
Peak Sensitivity Wavelength: 800 nm
Breakdown Voltage Vbd: 120-210 (binning available)
Temperature Coefficient of Vop for Constant M: 0.5 V/°C
Gain: 100 @800nm
Responsivity: 50 A/W at 800 nm
Dark Current Id: 0.1 <1 nA
Noise Current: 0.1 pA/√Hz
Capacitance: 2 pF
Rise/Fall Time: 0.3 ns R load = 50Ω
Cut-off frequency: 1.3 GHz
Storage Temp: -50°C to +100°C
Operating Temp: -40°C to +85°C
Package: Plastic T 1¾ through-hole
Active Diameter: 500μm
Peak Sensitivity Wavelength: 800 nm
Breakdown Voltage Vbd: 120-210 (binning available)
Temperature Coefficient of Vop for Constant M: 0.5 V/°C
Gain: 100 @800nm
Responsivity: 50 A/W at 800 nm
Dark Current Id: 0.1 <1 nA
Noise Current: 0.1 pA/√Hz
Capacitance: 2 pF
Rise/Fall Time: 0.3 ns R load = 50Ω
Cut-off frequency: 1.3 GHz
Storage Temp: -50°C to +100°C
Operating Temp: -40°C to +85°C
Package: Plastic T 1¾ through-hole