PIÈCE/ C30737PH-500-90N
C30737PH-500-90N – PDA Si, 500 um, plastique, 900 nm amélioré
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737PH-500-90N présente un diamètre actif de 500 µm et une réponse améliorée à 900 nm dans un boîtier en plastique T-1¾.
Caractéristiques principales :
- Forte réactivité entre 500 et 1000 nm
- Faible bruit et temps de montée extrêmement rapide à toutes les longueurs d'onde avec une réponse en fréquence supérieure à 380 MHz
- Diamètre actif de 500 μm optimisé pour une une sensibilité de pointe à 900 nm
- Option de support en plastique T1 ¾ « PH »
Utilisations :
- LiDAR
- Télémétrie laser
- Analyse de sécurité
- Applications nécessitant un détecteur peu coûteux et très performant
Diamètre actif : 500 μm
Longueur d'onde de sensibilité maximale : 900 nm
Tension de claquage (Vcl) : De 180 à 260 (regroupement de données possible)
Coefficient de température de tension de fonctionnement pour gain (M) constant : 1,3 V/°C
Gain : De 100 à 900 nm
Sensibilité de photodétection : 60 A/W à 800 nm
Courant d’obscurité : 0,1 < 1 nA
Courant de bruit : 0,1 pA/√Hz
Capacitance : 1 pF
Temps de montée/de descente : 0,9 ns, charge de résistance = 50 Ω
Fréquence de coupure : 380 MHz
Température d'entreposage : de -50 °C à +100 °C
Température de fonctionnement : De -40 °C à +85 °C
Boîtier : Plastique T-1¾, avec trou
Diamètre actif : 500 μm
Longueur d'onde de sensibilité maximale : 900 nm
Tension de claquage (Vcl) : De 180 à 260 (regroupement de données possible)
Coefficient de température de tension de fonctionnement pour gain (M) constant : 1,3 V/°C
Gain : De 100 à 900 nm
Sensibilité de photodétection : 60 A/W à 800 nm
Courant d’obscurité : 0,1 < 1 nA
Courant de bruit : 0,1 pA/√Hz
Capacitance : 1 pF
Temps de montée/de descente : 0,9 ns, charge de résistance = 50 Ω
Fréquence de coupure : 380 MHz
Température d'entreposage : de -50 °C à +100 °C
Température de fonctionnement : De -40 °C à +85 °C
Boîtier : Plastique T-1¾, avec trou