C30739ECERH-2 - Si APD, support en céramique, gain élevé
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) améliorée et à courte longueur d'onde C30739ECERH-2 couvre la plage spectrale allant de moins de 400 nm à plus de 700 nm. Cette Si APD, qui présente un faible bruit, un gain élevé et une réponse UV améliorée avec un rendement quantique supérieur à 70 % à 430 nm, est conçue pour des applications à faible luminosité, comme l'imagerie moléculaire. Son boîtier de support en céramique permet de faciliter la manipulation et le couplage aux cristaux à scintillation tels que le LSO et le BGO.
Caractéristiques et avantages :
- Si APD avec réponse UV améliorée
- Rendement quantique supérieur à 70 % à 430 nm
- Boîtier plat en céramique – couplage facile aux scintillateurs
- Boîtier non magnétique
Utilisations :
- Imagerie moléculaire
- Médecine nucléaire
- Détection de fluorescence
- Physique des hautes énergies
- Détection de rayonnement de sécurité
- la surveillance de l'environnement
Active Area: 5.6x5.6 mm
Breakdown Voltage: 400, <450 V
Capacitance: 60 pF
Dark Current: 1.5 nA
Gain: >100
Noise Current:
Response Time: 2 ns
Responsivity: 26 A/W for C30739ECERH, 52 A/W for C30739ECERH-2 at 430 nm and typical gain
Rise/Fall Time: 2 ns
Spectral Noise Current: 0.3 pA/√Hz for C30739ECERH, 0.4 pA/√Hz for C30739ECERH-2
Wavelength: 400-700 nm
Active Area: 5.6x5.6 mm
Breakdown Voltage: 400, <450 V
Capacitance: 60 pF
Dark Current: 1.5 nA
Gain: >100
Noise Current:
Response Time: 2 ns
Responsivity: 26 A/W for C30739ECERH, 52 A/W for C30739ECERH-2 at 430 nm and typical gain
Rise/Fall Time: 2 ns
Spectral Noise Current: 0.3 pA/√Hz for C30739ECERH, 0.4 pA/√Hz for C30739ECERH-2
Wavelength: 400-700 nm