PIÈCE/ C30927EH-01
C30927EH-01 – Si APD à quadrants 1,5 mm – 1060 nm
La photodiode à avalanche au silicium à quadrants C30927EH-01 avec un diamètre utile de 1,55 mm est conçue avec une structure « reach-through » à double diffusion.
La structure en quadrants de la C30927EH-01 comporte une jonction d'avalanche commune, la séparation des quadrants étant réalisée par segmentation de la surface p+ d'entrée de lumière opposée à la jonction. Grâce à cette approche, il n'y a pas d'espace « mort » entre les éléments, donc pas de perte de réponse à l'axe de visée.
Le C30927EH-01 est optimisée pour fonctionner à 1064 nm, offrant une grande réactivité et une excellente performance lorsqu'elle est utilisée à environ 50 nm de la longueur d'onde précisée.
Caractéristiques principales et avantages :
- Angle complet pour une surface photosensible totalement éclairée supérieure à 90º
- Haute efficacité quantique optimisée pour la longueur d'onde YAG
- Temps de réponse rapide
- Grande surface active : 1,77 mm2
- Boîtier TO-8 à profil bas hermétiquement scellé
| Plage de tension de claquage (V) | De 350 à 485 |
| Tension de claquage typique (V) | 425 |
| Gain typique (M) | 100 |
| Coefficient de température typique pour un gain constant (V/℃) | 2,4 |
| Responsivité minimale à 1060 nm (A/W) | 12 |
| Responsivité type à 1060 nm (A/W) | 15 |
| Courant d'obscurité totale type (nA) | 100 |
| Courant d'obscurité totale maximal type (nA) | 200 |
| Courant de bruit type par élément (pA/√Hz) | 1,0 |
| Courant de bruit maximal par élément (pA/√Hz) | 1,5 |
| Capacitance totale type de tous les quadrants (pF) | 3 |
| Capacitance totale maximale de tous les quadrants (pF) | 5 |
| Résistance série maximale (Ω) | 15 |
| Temps de montée et de descente typique (ns) | 3 |
| Températures d'entreposage (℃) | -De 60 à 120 |
| Température de fonctionnement (°C) | -De 40 à 60 |
| Plage de tension de claquage (V) | De 350 à 485 |
| Tension de claquage typique (V) | 425 |
| Gain typique (M) | 100 |
| Coefficient de température typique pour un gain constant (V/℃) | 2,4 |
| Responsivité minimale à 1060 nm (A/W) | 12 |
| Responsivité type à 1060 nm (A/W) | 15 |
| Courant d'obscurité totale type (nA) | 100 |
| Courant d'obscurité totale maximal type (nA) | 200 |
| Courant de bruit type par élément (pA/√Hz) | 1,0 |
| Courant de bruit maximal par élément (pA/√Hz) | 1,5 |
| Capacitance totale type de tous les quadrants (pF) | 3 |
| Capacitance totale maximale de tous les quadrants (pF) | 5 |
| Résistance série maximale (Ω) | 15 |
| Temps de montée et de descente typique (ns) | 3 |
| Températures d'entreposage (℃) | -De 60 à 120 |
| Température de fonctionnement (°C) | -De 40 à 60 |