C30927EH-01 – Si APD à quadrants 1,5 mm – 1060 nm
La photodiode à avalanche au silicium à quadrants C30927EH-01 avec un diamètre utile de 1,55 mm est conçue avec une structure « reach-through » à double diffusion.
La structure en quadrants de la C30927EH-01 comporte une jonction d'avalanche commune, la séparation des quadrants étant réalisée par segmentation de la surface p+ d'entrée de lumière opposée à la jonction. Grâce à cette approche, il n'y a pas d'espace « mort » entre les éléments, donc pas de perte de réponse à l'axe de visée.
Le C30927EH-01 est optimisée pour fonctionner à 1064 nm, offrant une grande réactivité et une excellente performance lorsqu'elle est utilisée à environ 50 nm de la longueur d'onde précisée.
Caractéristiques principales et avantages :
- Angle complet pour une surface photosensible totalement éclairée supérieure à 90º
- Haute efficacité quantique optimisée pour la longueur d'onde YAG
- Temps de réponse rapide
- Grande surface active : 1,77 mm2
- Boîtier TO-8 à profil bas hermétiquement scellé
Breakdown voltage range (V): 350 to 485
Typical breakdown voltage (V): 425
Typical gain (M): 100
Typical Temperature Coefficient for constant gain (V/℃): 2.4
Minimal Responsivity at 1060 nm (A/W): 12
Typical Responsivity at 1060 nm (A/W): 15
Typical total dark current (nA): 100
Maximal total dark current (nA): 200
Typical noise current per element (pA/√Hz): 1.0
Maximal noise current per element (pA/√Hz): 1.5
Typical capacitance total of all quadrants (pF): 3
Maximal capacitance total of all quadrants (pF): 5
Maximal series resistance (Ω): 15
Typical rise and fall time (ns): 3
Storage temperature (℃): -60 to 120
Operating temperature (℃): -40 to 60
Breakdown voltage range (V): 350 to 485
Typical breakdown voltage (V): 425
Typical gain (M): 100
Typical Temperature Coefficient for constant gain (V/℃): 2.4
Minimal Responsivity at 1060 nm (A/W): 12
Typical Responsivity at 1060 nm (A/W): 15
Typical total dark current (nA): 100
Maximal total dark current (nA): 200
Typical noise current per element (pA/√Hz): 1.0
Maximal noise current per element (pA/√Hz): 1.5
Typical capacitance total of all quadrants (pF): 3
Maximal capacitance total of all quadrants (pF): 5
Maximal series resistance (Ω): 15
Typical rise and fall time (ns): 3
Storage temperature (℃): -60 to 120
Operating temperature (℃): -40 to 60