C30954EH – Si APD, 0,8 mm, boîtier TO-5
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) améliorée à grande longueur d'onde C30954EH présente une surface active de 0,8 mm avec un rendement quantique élevé à 1060 nm. Elle comporte un boîtier TO-5 et une structure « reach-through » à double diffusion. Sa réponse aux grandes longueurs d'onde (>900 nm) a été améliorée sans ajout de propriétés indésirables.
Caractéristiques et avantages :
- Diamètre actif : 0,8 mm
- Efficacité quantique élevée à 1060 nm
- Réponse rapide
- Large plage de températures de fonctionnement
- Faible capacitance
- Boîtiers hermétiquement scellés
- Conforme à la directive RoHS
- TEC en option
Utilisations :
- Télémétrie
- LiDAR
- Détection laser YAG
Active Area: 0.5 mm²
Active Diameter: 0.8 mm
Breakdown Voltage: >300, 375, <475 V
Capacitance: 2pF
Dark Current: 50nA
Gain: 120
Noise Current: 1 pA/√Hz
Package: TO-5
Peak Sensitivity Wavelength: 900 nm
Responsivity:
- 75 A/W at 900 nm,
- 36 A/W at 1050 nm,
- 5 A/W at 1150 nm
Rise/Fall Time: 2ns
Temperature Coefficient: 2.4 V/°C
Vop Range: 275-450 V
Wavelength: 400-1100 nm
Active Area: 0.5 mm²
Active Diameter: 0.8 mm
Breakdown Voltage: >300, 375, <475 V
Capacitance: 2pF
Dark Current: 50nA
Gain: 120
Noise Current: 1 pA/√Hz
Package: TO-5
Peak Sensitivity Wavelength: 900 nm
Responsivity:
- 75 A/W at 900 nm,
- 36 A/W at 1050 nm,
- 5 A/W at 1150 nm
Rise/Fall Time: 2ns
Temperature Coefficient: 2.4 V/°C
Vop Range: 275-450 V
Wavelength: 400-1100 nm