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Photodiodes à avalanche au silicium améliorées à grande longueur d'onde de 1064 nm

Les photodiodes à avalanche silicium optimisées pour 1064 nm (C30954EH, C30955EH, C30956EH) sont fabriquées avec une structure « reach-through » à double diffusion. La conception de ces photodiodes a permis l'amélioration de leur réponse aux grandes longueurs d'onde (c.-à-d. >900 nm) sans perte de performances. Le rendement quantique de ces photodiodes à avalanche peut atteindre 40 % à 1060 nm.

Catalogue des solutions de détection des photons Excelitas
Photodiodes à avalanche au silicium Excelitas à grande longueur d'onde de 1064 nm

Liste de produits

Numéro de pièce
C30954EH

C30954EH – Si APD, 0,8 mm, boîtier TO-5

La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) améliorée à grande longueur d'onde C30954EH présente une surface active de 0,8 mm avec un rendement quantique élevé à 1060 nm. Elle comporte un boîtier TO-5 et une structure « reach-through » à double diffusion. Sa réponse aux grandes longueurs d'onde (>900 nm) a été améliorée sans ajout de propriétés indésirables.
Numéro de pièce
C30955EH

C30955EH – Si APD, 1,5 mm, boîtier TO-5

La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) améliorée à grande longueur d'onde C30955EH présente un diamètre de surface active de 1,5 mm et un rendement quantique élevé à 1060 nm. Elle comporte un boîtier TO-5 et une structure « reach-through » à double diffusion. Sa réponse aux grandes longueurs d'onde (>900 nm) a été améliorée sans ajout de propriétés indésirables.
Numéro de pièce
C30956EH

C30956EH – Si APD, 3 mm, boîtier TO-8

La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) à grande surface et à grande longueur d'onde C30956EH se caractérise par une surface active de 3 mm et un rendement quantique élevé à 1060 nm. Elle comporte un boîtier TO-8 et une structure « reach-through » à double diffusion. Sa réponse aux grandes longueurs d'onde (>900 nm) a été améliorée sans ajout de propriétés indésirables.