Si APD C30955EH Excelitas
PIÈCE/ C30955EH

C30955EH – Si APD, 1,5 mm, boîtier TO-5

La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) améliorée à grande longueur d'onde C30955EH présente un diamètre de surface active de 1,5 mm et un rendement quantique élevé à 1060 nm. Elle comporte un boîtier TO-5 et une structure « reach-through » à double diffusion. Sa réponse aux grandes longueurs d'onde (>900 nm) a été améliorée sans ajout de propriétés indésirables.

Caractéristiques et avantages :

  • Diamètre actif : 1,5 mm
  • Efficacité quantique élevée à 1060 nm
  • Réponse rapide
  • Large plage de températures de fonctionnement
  • Faible capacitance
  • Boîtier hermétique
  • Conforme à la directive RoHS
  • TEC en option

Utilisations :

  • Télémétrie
  • LiDAR
  • Détection laser YAG

  • 70 A/W à 900 nm,
  • 34 A/W à 1050 nm,
  • 5 A/W à 1150 nm
  • 70 A/W à 900 nm,
  • 34 A/W à 1050 nm,
  • 5 A/W à 1150 nm
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