C30955EH – Si APD, 1,5 mm, boîtier TO-5
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) améliorée à grande longueur d'onde C30955EH présente un diamètre de surface active de 1,5 mm et un rendement quantique élevé à 1060 nm. Elle comporte un boîtier TO-5 et une structure « reach-through » à double diffusion. Sa réponse aux grandes longueurs d'onde (>900 nm) a été améliorée sans ajout de propriétés indésirables.
Caractéristiques et avantages :
- Diamètre actif : 1,5 mm
- Efficacité quantique élevée à 1060 nm
- Réponse rapide
- Large plage de températures de fonctionnement
- Faible capacitance
- Boîtier hermétique
- Conforme à la directive RoHS
- TEC en option
Utilisations :
- Télémétrie
- LiDAR
- Détection laser YAG
Active Area: 1.77 mm²
Active Diameter: 1.5 mm
Breakdown Voltage: >315, 390, <490 V
Capacitance: 3pF
Dark Current: 100nA
Gain: 100
Noise Current: 1 pA/√Hz
Package: TO-5
Peak Sensitivity Wavelength: 900 nm
Responsivity:
- 70 A/W at 900 nm,
- 34 A/W at 1050 nm,
- 5 A/W at 1150 nm
Rise/Fall Time: 2ns
Temperature Coefficient: 2.4 V/°C
Vop Range: 275-450 V
Wavelength: 400-1100 nm
Active Area: 1.77 mm²
Active Diameter: 1.5 mm
Breakdown Voltage: >315, 390, <490 V
Capacitance: 3pF
Dark Current: 100nA
Gain: 100
Noise Current: 1 pA/√Hz
Package: TO-5
Peak Sensitivity Wavelength: 900 nm
Responsivity:
- 70 A/W at 900 nm,
- 34 A/W at 1050 nm,
- 5 A/W at 1150 nm
Rise/Fall Time: 2ns
Temperature Coefficient: 2.4 V/°C
Vop Range: 275-450 V
Wavelength: 400-1100 nm