C30956EH – Si APD, 3 mm, boîtier TO-8
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) à grande surface et à grande longueur d'onde C30956EH se caractérise par une surface active de 3 mm et un rendement quantique élevé à 1060 nm. Elle comporte un boîtier TO-8 et une structure « reach-through » à double diffusion. Sa réponse aux grandes longueurs d'onde (>900 nm) a été améliorée sans ajout de propriétés indésirables.
Caractéristiques et avantages :
- Diamètre actif : 3 mm
- Efficacité quantique élevée à 1060 nm
- Réponse rapide
- Large plage de températures de fonctionnement
- Faible capacitance
- Boîtier hermétique
- Conforme à la directive RoHS
- TEC en option
Utilisations :
- Télémétrie
- LiDAR
- Détection laser YAG
Active Area: 7 mm²
Active Diameter: 3 mm
Breakdown Voltage: >325, 400, <500 V
Capacitance: 2.4 pF
Dark Current: 100 nA
Gain: 75
Noise Current: 1.1 pA/√Hz
Package: TO-8
Peak Sensitivity Wavelength: 900 nm
Responsivity:
- 45 A/W at 900 nm
- 25A/W at 1050 nm
- 3.5A/W at 1150 nm
Rise/Fall Time: 2 ns
Temperature Coefficient: 2.4 V/°C
Vop Range: 275-450 V
Wavelength: 400-1100 nm
Active Area: 7 mm²
Active Diameter: 3 mm
Breakdown Voltage: >325, 400, <500 V
Capacitance: 2.4 pF
Dark Current: 100 nA
Gain: 75
Noise Current: 1.1 pA/√Hz
Package: TO-8
Peak Sensitivity Wavelength: 900 nm
Responsivity:
- 45 A/W at 900 nm
- 25A/W at 1050 nm
- 3.5A/W at 1150 nm
Rise/Fall Time: 2 ns
Temperature Coefficient: 2.4 V/°C
Vop Range: 275-450 V
Wavelength: 400-1100 nm