PIÈCE/ C30956EH
C30956EH – Si APD, 3 mm, boîtier TO-8
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) à grande surface et à grande longueur d'onde C30956EH se caractérise par une surface active de 3 mm et un rendement quantique élevé à 1060 nm. Elle comporte un boîtier TO-8 et une structure « reach-through » à double diffusion. Sa réponse aux grandes longueurs d'onde (>900 nm) a été améliorée sans ajout de propriétés indésirables.
Caractéristiques et avantages :
- Diamètre actif : 3 mm
- Efficacité quantique élevée à 1060 nm
- Réponse rapide
- Large plage de températures de fonctionnement
- Faible capacitance
- Boîtier hermétique
- Conforme à la directive RoHS
- TEC en option
Utilisations :
- Télémétrie
- LiDAR
- Détection laser YAG
- 45 A/W à 900 nm
- 25A/W à 1050 nm
- 3,5 A/W à 1150 nm
- 45 A/W à 900 nm
- 25A/W à 1050 nm
- 3,5 A/W à 1150 nm