Diode laser à impulsions DPGAS1S09H, 905 nm à cavité double de 9 mils
Le modèle DPGAS1S09H est une diode laser à impulsions de 905 nm très efficace, logée dans un boîtier en métal, composée d'une puce à cavité simple monopile avec une largeur de bande de 225 µm. Elle fournit 50 W à 30 A avec une impulsion de 100 ns, en plus de se décliner en différents formats.
Voici une diode laser à impulsions de 905 nm logée dans un boîtier métallique conçue pour des applications avancées de télémétrie.
Nous offrons un vaste éventail de lasers de 905 nm, y compris des structures monolithiques à plusieurs cavités comprenant jusqu'à quatre cavités actives par puce. Cela se traduit par une puissance de sortie optique de pointe maximale de 100 W. En empilant physiquement jusqu'à trois puces laser, il est possible d'atteindre une puissance optique de pointe pouvant atteindre 300 W.
• 905 nm pulsed laser
• DPGA series: Double cavity chip series
• Range of single chip and stacked devices
• Multi cavity lasers concentrate emitting source size
• Quantum well structure
• High peak pulsed power
• Excellent power stability with temperature
• 905 nm pulsed laser
• DPGA series: Double cavity chip series
• Range of single chip and stacked devices
• Multi cavity lasers concentrate emitting source size
• Quantum well structure
• High peak pulsed power
• Excellent power stability with temperature