Diode laser à impulsions à semiconducteurs TPG2EW1S09 Excelitas génération {[#0]
PIÈCE/ TPG2EW1S09

Diode laser à impulsions TPG2EW1S09 génération 2, 905 nm en plastique à cavité triple de 225 mils

Le laser à impulsions à semiconducteurs Excelitas de génération 2, qui émet à 905 nm dans le proche infrarouge, fonctionne à l’aide d’une puce monolithique multicouche. Sa structure GaAs améliorée offre 85 W de puissance de pointe pulsée lorsqu'elle est alimentée par un courant de 30 A. La conception de la puce multicouche comporte une zone d'émission de (225 x 10) μm grâce à l'émission de trois lignes laser, offrant une puissance de sortie élevée dans une petite zone d'émission. Le boîtier en plastique T1¾ (comme le TO) vient s'ajouter aux lasers à épi-cavité série PGA d'Excelitas présentés dans des boîtiers métalliques hermétiques ou des boîtiers à SMD et convient parfaitement aux applications à volume élevé.

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Cette diode laser à impulsions de 905 nm est encapsulée dans un boîtier TO en plastique pour des utilisations de LiDAR et de télémétrie commerciales à volume élevé.

Excelitas propose une gamme de lasers à 905 nm, y compris des structures monolithiques à cavités multiples comportant jusqu'à quatre cavités actives par puce sur des dispositifs de première génération. Nos lasers de deuxième génération offrent une puissance optique accrue de plus de 20 % pour un même courant d'attaque. La longueur d'onde centrale de fonctionnement correspond bien à la réponse de pointe de notre gamme de photodiodes à avalanche C30737 à haut volume.

  • Laser à impulsions de 905 nm
  • Série PG2EW : boîtier en plastique pour utilisations commerciales
  • Largeur de bande de 225 µm, demander pour d’autres géométries
  • Pente de puissance de 3 W/A
  • Lasers multicavités à structure de puits quantique
  • Baisse de puissance < 20% @ Tmax> à Tmax
  • >20 % d’augmentation de la puissance pulsée maximale par rapport aux dispositifs de la génération 1.
  • Excellente stabilité de la puissance en fonction de la température
Fiche technique de la diode laser à impulsions à semiconducteurs TPG2EW1S09, 905 nm, « génération 2 »
  • Laser à impulsions de 905 nm
  • Série PG2EW : boîtier en plastique pour utilisations commerciales
  • Largeur de bande de 225 µm, demander pour d’autres géométries
  • Pente de puissance de 3 W/A
  • Lasers multicavités à structure de puits quantique
  • Baisse de puissance < 20% @ Tmax> à Tmax
  • >20 % d’augmentation de la puissance pulsée maximale par rapport aux dispositifs de la génération 1.
  • Excellente stabilité de la puissance en fonction de la température
Fiche technique de la diode laser à impulsions à semiconducteurs TPG2EW1S09, 905 nm, « génération 2 »
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Vidéo : Lasers et détecteurs de nouvelle génération pour LiDAR et télémètres

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Vidéo : Évolution des diodes laser pulsées de grande puissance pour les applications LiDAR

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