Diode laser à impulsions à semiconducteurs TPG2EW1S09 Excelitas génération {[#0]
PIÈCE/ TPG2EW1S09

Diode laser à impulsions TPG2EW1S09 génération 2, 905 nm en plastique à cavité triple de 225 mils

Le laser à impulsions à semiconducteurs Excelitas de génération 2, qui émet à 905 nm dans le proche infrarouge, fonctionne à l’aide d’une puce monolithique multicouche. Sa structure GaAs améliorée offre 85 W de puissance de pointe pulsée lorsqu'elle est alimentée par un courant de 30 A. La conception de la puce multicouche comporte une zone d'émission de (225 x 10) μm grâce à l'émission de trois lignes laser, offrant une puissance de sortie élevée dans une petite zone d'émission. Le boîtier en plastique T1¾ (comme le TO) vient s'ajouter aux lasers à épi-cavité série PGA d'Excelitas présentés dans des boîtiers métalliques hermétiques ou des boîtiers à SMD et convient parfaitement aux applications à volume élevé.

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Cette diode laser à impulsions de 905 nm est encapsulée dans un boîtier TO en plastique pour des utilisations de LiDAR et de télémétrie commerciales à volume élevé.

Excelitas propose une gamme de lasers à 905 nm, y compris des structures monolithiques à cavités multiples comportant jusqu'à quatre cavités actives par puce sur des dispositifs de première génération. Nos lasers de deuxième génération offrent une puissance optique accrue de plus de 20 % pour un même courant d'attaque. La longueur d'onde centrale de fonctionnement correspond bien à la réponse de pointe de notre gamme de photodiodes à avalanche C30737 à haut volume.

  • 905 nm pulsed laser
  • PG2EW Series: Plastic packaged for commercial applications
  • 225 µm stripe width, inquire for other geometries
  • 3 W/A power slope
  • Multi-cavity lasers with quantum well structure
  • Power drop < 20% @ Tmax
  • >20% increase in peak pulsed power vs generation 1 devices
  • Excellent power stability with temperature
  • 905 nm pulsed laser
  • PG2EW Series: Plastic packaged for commercial applications
  • 225 µm stripe width, inquire for other geometries
  • 3 W/A power slope
  • Multi-cavity lasers with quantum well structure
  • Power drop < 20% @ Tmax
  • >20% increase in peak pulsed power vs generation 1 devices
  • Excellent power stability with temperature
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