Photodiodes au silicium à sensibilité améliorée à la lumière bleue Excelitas 
PIÈCE/ VTB100AH

VTB100AH – Photodiode au silicium, boîtier plat à détection latérale, 7,1 mm2

La VTB100AH est une photodiode au silicium à sensibilité améliorée à la lumière bleue dans un boîtier en plastique moulé à détection latérale. Cette photodiode offre une réponse améliorée dans le domaine spectral bleu, ainsi qu'une très haute résistance de dérivation et un faible courant d'obscurité.​​​​​​​

La photodiode au silicium VTB100AH à sensibilité améliorée à la lumière bleue présente une surface active de 7,1 mm2 avec une réponse spectrale allant de 320 à 1100 nm.

Cette série de photodiodes planar au silicium P-sur-N a été conçue pour offrir une réponse optimale dans la partie visible du spectre. Ces photodiodes sont principalement destinées à une utilisation en mode photovoltaïque mais peuvent également fonctionner avec une faible tension de polarisation inverse. Elles présentent également une résistance de dérivation très élevée, ce qui se traduit par de faibles déviations lorsqu'elles sont utilisées dans des circuits amplificateurs opérationnels à changement d'impédance et à gain élevé.

Caractéristiques et avantages :

  • Domaine spectral allant de l'UV au proche infrarouge
  • Linéarité de 1 à 2 % sur une période de 7 à 9 décennies
  • Très faible courant d'obscurité
  • Très haute résistance de dérivation
  • Conforme à la directive RoHS

Utilisations :

  • Détection de la lumière bleue
  • Photomètres
  • Détection des flammes
  • La photométrie

  • Surface active : 7,1 mm2
  • Courant de court-circuit = Minimum 50 µA à 100 fc, 2850 K
  • Courant d'obscurité = Maximum 500 pA à 10 V de tension de polarisation inverse
  • Capacité de jonction = Type 2,0 nF à 0 V de tension de polarisation
  • Domaine spectral = 320 à 1100 nm
  • Réponse spectrale maximale = 925 nm
  • Sensibilité à la longueur d'onde maximale = 0,55 A/W type
  • Réponse angulaire = ±70 degrés à 50 % de réponse
  • Surface active : 7,1 mm2
  • Courant de court-circuit = Minimum 50 µA à 100 fc, 2850 K
  • Courant d'obscurité = Maximum 500 pA à 10 V de tension de polarisation inverse
  • Capacité de jonction = Type 2,0 nF à 0 V de tension de polarisation
  • Domaine spectral = 320 à 1100 nm
  • Réponse spectrale maximale = 925 nm
  • Sensibilité à la longueur d'onde maximale = 0,55 A/W type
  • Réponse angulaire = ±70 degrés à 50 % de réponse
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